Khi IEtăng, RB1giảmtrong lúc R
B2 ítbị ảnh hưởng nên điện trởliên nền RBBgiảm.
Khi IE đủlớn, điện trởliên nền RBBchủyếu là RB2. Kết thúc vùng điện trởâmlà vùng
thung lũng,lúc đó dòng IE đủlớn và RB1quá nhỏkhông giảm nữa (chú ý là dòng ra cực
nền B1) gồm có dòng điện liên nền Bcộng với dòng phát IE) nên VEkhông giảm mà bắt
đầu tăng khi Ităng. Vùng này được gọi là vùng bảo hòa.
P ủa cực phát E để t UJThoạt động trong vùng
điện trởâm. Dòng điện thung lũng IVlà dòng điện tối đa của IEtrong vùng điện trởâm.
P V
EB1 điện trởâm.
i ta cho UJT hoạt động trong vùng điện trởâm,
muốn
Q B2
I
E
Nhưvây ta nhận thấy:
- Dòng đỉnh Ilà dòng tối thiểu c đặ
- Tương tự, điện thế đỉnh Vlà điện thếthung lũng Vlà điện thếtối đa và tối thiểu
của V đặt UJT trong vùng
Trong các ứng dụng của UJT, ngườ
vậy, ta phải xác định điện trởRE để IP
163 trang |
Chia sẻ: banmai | Lượt xem: 2549 | Lượt tải: 1
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Giáo trình linh kiện điện tử Đại học Cần Thơ, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
uối chương
2. Trong m iện sau, tính điện thế phân cực V và điện dẫn truyền gm.
3. Trong mạch điện sau, tính điện thế phân cực VD, VG. Cho biết E-MOSFET có hệ số
1. Tính VD, và điện dẫn truyền gm trong mạch:
+12V
R
G
5K
E
D
ạch đ D
1K R1M
R
IDSS = 4mA
VGS(off) = -4V
VD
D
+12V
R
G
5K
2V
V
D
1M
R IDSS = 4mA
VGS(off) = -4V
⎟⎠⎜⎝= 2V1k và V
⎞⎛ mA
GS(th) = 3V.
24V
G
D
5K
2M
VV D
R
10M
24V
Trang 125 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
CHƯƠNG VII
P BÁN DẪN PNPN VÀ
I. S
át bởi cổng silicium. Các tíêp xúc kim loại được tạo
ra các cực Anod A, Catot K và cổng G.
LINH KIỆN CÓ BỐN LỚ
NHỮNG LINH KIỆN KHÁC
CR (THYRISTOR – SILICON CONTROLLED
RECTIFIER).
1. Cấu tạo và đặc tính:
SCR được cấu tạo bởi 4 lớp bán dẫn PNPN (có 3 nối PN). Như tên gọi ta thấy SCR
là một diode chỉnh lưu được kiểm so
Anod
K
Catod
G
Cổng
(Gate)
≈
P
N
P
N
Anod
P
N
P
A A
K
Catod
G
Cổng
(Gate
N
N )
P
C
B
E
C
B
E
A
A
K
K
G
IG
IC2
IC1
IB2
T1
T2 G
Cấu tạo Mô hình tương đương
Mô hình tương đương Ký hiệu
Hình 1
Trang 126 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Nếu ta mắc một nguồn điện một chiều VAA vào SCR như hình sau. một dòng điện
nhỏ IG kích vào cực cổng G sẽ làm nối PN giữa cực cổng G và catot K dẫn phát khởi
dòng lớn hơn nhiều. Nếu ta đổi chiều nguồn VAA (cực dương nối
với catod, cục âm nối với anod) sẽ không có dòng điện qua SCR cho dù có dòng điện
kích
ền và thu
G h vào cực nền của Transistor NPN T1 tức cổng G
của S
. Dòng điện này tùy thuộc vào VAA và điện trở tải
RA.
AA AA
n một trị số nào đó (tùy thuộc vào từng SCR) gọi là dòng điện
duy t
điện anod IA qua SCR
IG. Như vậy ta có thể hiểu SCR như một diode nhưng có thêm cực cổng G và để
SCR dẫn điện phải có dòng điện kích IG vào cực cổng.
Cổng
P
N
Ta thấy SCR có thể coi như tương đương với hai transistor PNP và NPN liên kết
nhau qua ngõ n
Khi có một dòng điện nhỏ I kíc
CR. Dòng điện IG sẽ tạo ra dòng cực thu IC1 lớn hơn, mà IC1 lại chính là dòng nền
IB2 của transistor PNP T2 nên tạo ra dòng thu IC2 lại lớn hơn trước… Hiện tượng này cứ
tiếp tục nên cả hai transistor nhanh chóng trở nên bảo hòa. Dòng bảo hòa qua hai
transistor chính là dòng anod của SCR
Cơ chế hoạt động như trên của SCR cho thấy dòng IG không cần lớn và chỉ cần tồn
tại trong thời gian ngắn. Khi SCR đã dẫn điện, nếu ta ngắt bỏ IG thì SCR vẫn tiếp tục dẫn
điện, nghĩa là ta không thể ngắt SCR bằng cực cổng, đây cũng là một nhược điểm của
SCR so với transistor.
Người ta chỉ có thể ngắt SCR bằng cách cắt nguồn V hoặc giảm V sao cho
dòng điện qua SCR nhỏ hơ
rì IH (hodding current).
A
G
K
N
(Gate)
P
IA
RG R
V VGG AA
A
IG VAK
Hình 2
Trang 127 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
2.
phân cực n
ạy qua SC
n điện thế catod), nếu ta
nối tắt (hoặc để hở) nguồn VGG (IG=0), khi VAK còn nhỏ, ch có một dòng điện rất nhỏ
chạy qua SCR (trong thực tế người ta xem n SCR không dẫn điện), nhưng khi VAK đạt
đền một trị số nào đó (tùy thuộc vào từng SCR) gọi là điện thế quay về VBO thì điện thế
VAK động sụt xuống khoảng 0,7V như diode thường. Dòng điện tương ứng bây giờ
chính là dòng điện duy trì IH. Từ bây giờ, SCR chuyển sang trạng thái dẫn điện và có đặc
tuyến gần giống như diode thường.
ếu ta tăng nguồn VGG để tạo dòng kích IG, ta thấy điện thế quay về nhỏ hơn và khi
dòng kích IG càng lớn, điện thế quay về VBO ỏ.
Đặc tuyến Volt-Ampere của SCR:
Đặc tuyến này trình bày sự biến thiên của dòng điện anod IA theo điện thế anod-
catod VAK với dòng cổng IG coi như thông số.
- Khi SCR được ghịch (điện thế anod âm hơn điện thế catod), chỉ có một
dòng điện rỉ rất nhỏ ch R.
- Khi SCR được phân cực thuận (điện thế anod dương hơ
ỉ
hư
tự
N
càng nh
0
IA
SCRe
ng
Diod
thườ
VAK
IG = 0
IG2 > IG1 > 0
IH
VBO0,7V
VBR
Hình 3
Trang 128 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
3. Các thông số của SCR:
Sau đây là các thông số kỹ thuật chính của S
- Dòng thuận tối đ
Là dòng điện anod IA trung h mà SCR có thể chịu đựng được liên tục.
Trong trường hợp dòng lớn, SCR phải được giải nhiệt đầy đủ. Dòng thuận tối đa tùy
thuộc vào mỗi SCR, có thể từ vài trăm mA đến hàng trăm Ampere.
- Điện thế ngược tối đa:
Đây là điện thế phân cực nghịch tối đa mà ch a xảy ra sự hủy thác (breakdown).
Đây olt đến
hàng
- Dòng chốt (latching current):
Là dòng thuận tối thiểu để giữ SCR ở trạng thái dẫn điện sau khi SCR từ trạng thái
ngưng sang trạng thái òng chốt thường lớn hơn dòng duy trì chút ít ở SCR công
suất nhỏ và lớn hơn dòng duy trì khá nhiều ở SCR có công s
- Dòng cổng tối thiểu (Minimun gate current):
Như đã thấy, khi điện thế VAK lớn hơn VBO thì SCR sẽ chuyển sang trạng thái dẫn
điện mà không cần dòng kích IG. Tuy nhiên trong ứng dụng, thường người ta phải tạo ra
một dòng cổng để SCR dẫn điện ngay. Tùy th ổng tối thiểu từ dưới
1mA đến vài chục mA. Nói chung, SCR có côn àng lớn thì cần dòng kích lớn. Tuy
nhiên n chú ý là dòng cổng không được quá lớn, có thể làm hỏng nối cổng-catod của
SCR
đến lúc SCR dẫn gần bảo hòa (thường là
0,9 n mở khoảng vài µS. Như vậy, thời gian hiện diện của
xung kích ph
- Thời gian tắt (turn – off time):
Để tắt SCR, người ta giảm điện thế VAK xuống 0Volt, tức dòng anod cũng bằng 0.
Thế nhưng nếu ta hạ điện thế anod xuống 0 rồi tăng lên ngay thì SCR vẫn dẫn điện mặc
dù không có dòng kích. Thời gian tắt SCR là thời gian từ lúc điện thế VAK xuống 0 đến
lúc lên cao trở lại mà SCR không dẫn điện trở lại. Thời gian này lớn hơn thời gian mở,
thường khoảng vài chục µS. Như vậy, SCR là linh kiện chậm, hoạt động ở tần số thấp, tối
đa khoảng vài chục KHz.
- Tốc độ tăng điện thế dv/dt:
CR
a:
bìn lớn nhất
ư
là trị số VBR ở hình trên. SCR được chế tạo với điện thế nghịch từ vài chục v
ngàn volt.
dẫn. D
uất lớn.
eo mỗi SCR, dòng c
g suất c
, nê
.
- Thời gian mở (turn – on time):
Là thời gian từ lúc bắt đầu có xung kích
lần dòng định mức). Thởi gia
ải lâu hơn thời gian mở.
Trang 129 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ta có thể làm SCR dẫn điện bằng cách tăng điện thế anod lên đến điện thế quay v
V
ề
nod
thân điện thế V anod không cần lớn. Thông số dv/dt là tốc độ
tăng t t trên vị trí này SCR sẽ dẫn điện. Lý do là có một
điện ransistor trong mô hình tương đương của SCR.
dòng iện qua tụ là:
BO hoặc bằng cách dùng dòng kích cực cổng. Một cách khác là tăng điện thế a
nhanh tức dv/dt lớn mà bản
hế lớn nhất mà SCR chưa dẫn, vượ
dung nội Cb giữa hai cực nền của t
dt
dVCi bcb =
c kích SCR. Ng
đ . Dòng điện này chạy vào cực nền của T1. Khi dV/dt đủ
lớn thì icb lớn đủ sứ ười ta thường tránh hiện tượng này bằng cách mắc
một tụ C và điện trở R song song với SCR để chia bớt dòng icb.
Đây là trị số tối đa của tốc độ tăng dòng anod. Trên trị số này SCR có thể bị hư. Lý
do là khi SCR chuyển từ trạng thái ngưng sang trạng thái dẫn, hiệu thế giữa anod và
catod còn lớn trong lúc dòng điện anod tăng nhanh khiến công suất tiêu tán tức thời có
thể quá lớn. Khi SCR bắt đầu dẫn, công suất tiêu tán tập trung ở gần vùng cổng nên vùng
này dễ bị hư hỏng. Khả năng chịu đựng của di/dt tùy thuộc vào mỗi SCR.
4. SCR hoạt động ở điện thế xoay chiều
Khi SCR hoạt động ở điện thế xoay chiều tần số thấp (thí dụ 50Hz hoặc 60Hz) thì
vấn đề tắt SCR được giải quyết dễ dàng. Khi không có xung kích thì mạng điện xuống
gần 0V, SCR sẽ ngưng. Dĩ nhiên ở bán kỳ âm SCR không hoạt động mặc dù có xung
kích.
A
K
G
C
R
Hình 4
- Tốc độ tăng dòng thuận tối đa di/dt:
Trang 130 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Để tă công suấ ho tải, người ta cho SCR hoạt ng ở nguồn chỉnh lưu toàn kỳ.
5. Vài ứng dụng đơn giản:
ạch đèn khẩn cấp khi mất điện:
ng t c độ
Vì điện 50Hz có chu kỳ T=1/50=20nS nên thời gian điện thế xấp xỉ 0V đủ làm
ngưng SCR.
M
Tải L
~
IG
220V/50Hz
IG
V Tải
Góc dẫn
SCR ngưng SCR dẫn
Hình 5
V
Tải L
~
IG
220V/50Hz
IG
TảiV
Góc dẫ
Hình 6
n
R3 1K
6,3V
DEN
D1
R2 150 ACCU 6V
6,3V
D2 SCR
100uF
R1
D3
T1
2
50Hz
20V/
Được chọn tùy theo dòng nạp accu
+
-
Hình 7
Trang 131 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Bình thường đèn 6V cháy sáng nhờ nguồn điện qua mạch chỉnh lưu. Lúc này SCR ngưng
dẫn do bị phân cực nghịch, accu được nạp qua D1, R1. Khi mất điện, nguồn điện accu sẽ làm
thông SCR và thắp sáng đèn.
Mạch nạp accu tự động (trang sau)
- Khi accu nạp chưa đầy, SCR1 dẫn, SCR2 ngưng
- Khi accu đã nạp đầy, điện thế cực dương lên cao, kích SCR2 làm SCR2 dẫn, chia bớt
dòng nạp bảo vệ accu.
- VR dùng để chỉnh mức bảo vệ (giảm nhỏ dòng nạp)
D2
D1
50
uF
6,3V
6,3V
~ 110V SCR1
R3 1K
AC
CU
1
2V
SCR2
R3
1
K
D3
+
-
R1 47Ω 2W R2 47Ω 2W
VZ = 11V
R4 47Ω 2W
VR
750Ω
Hình 8
~220V
6V
2W
Trang 132 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
II. T
Thường đượ coi n t SCR lưỡng hướng vì có thể dẫn đ theo hai chiều. Hình
sau đây cho thấy cấu tạo ình tương đương và cấu tạo của Triac.
IG
RIAC (TRIOD AC SEMICONDUCTOR SWITCH).
n
p
p
n n
n n
n
T2 T2
c hư mộ iện
, mô h
T1
Đầu
G
Cổng
(Gate)
≈
p
n
p
T1
Đầu
G
+ n
p
n
p
T1
Đầu
T2
G
IG
+
-
- T
+
T1 T1
G
+
2 T2
G
T2
T1
G
≈
T
T1 Hình 9
2
Trang 133 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Như vậy, ta thấy Triac như gồm bởi một SCR PNPN dẫn điện theo chiều từ trên
xuống dưới, kích bởi dòng cổng dương và một SCR NPNP dẫn điện theo chiều từ dưới
lên kích bởi dòng cổng âm. Hai cực còn lại gọi là hai đầu cuối chính (main terminal).
- Do đầu T2 dương hơn đầu T1, để Triac dẫn điện ta có thể kích dòng cổng dương và
khi đ n T1ta có thể kích dòng cổng âm.
- Như ậy đặc tuyến V-I của Triac có dạng sau:
- Thật ra, do sự tương tác của vùng bán dẫn, Triac được nảy theo 4 cách khác nhau,
được trình ng hình đây:
ầu T2 âm hơ
T
0
IH
IA
V21
0,7V +VBO
BO
Hình 10
2
-V
V21
G
IG T1
v
bày bằ vẽ sau
T2
T1
G
IG > 0
+
-
T2
T1
G
IG < 0
+
T2
T1
G
IG < 0
-
+
T2
T1
G
IG > 0
-
+
Hình 11
-
Cách 1 Cách 2 Cách 3 Cách 4
Trang 134 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Cách (1) và cách (3) nhạy nhất, kế đến là cách (2) và cách (4). Do tính chất dẫn điện
cả hai chiều, Triac dùng trong mạng điện xoay chiều thuận lợi hơn í dụ sau đây
cho thấy ứng dụng của Triac trong mạng điện xoay chiều.
III. SCS (SILICON – CONTROLLED SWITCH).
Như hi ta áp một xun ơng vào cổng catod thi SCS dẫn điện. Khi SCS đang
hoạt động, nếu ta áp một xung dươ cổng anod thì SCS sẽ ngưng dẫn. Như v y, đối
với SCS, cổng catod dùng để mở SCS, và cổng anod dùng để tắt SCS. Tuy có khả năng
như SCR, nhưng thường người ta chỉ chế tạo SCS công suất nhỏ (phần lớn dưới vài trăm
miniwatt) và do cổng catod rất nhạy (chỉ cần kích cổng catod khoảng vài chục µA) nên
SCS ược ứng dụng làm một switch điện tử nhạy.
í dụ sau là một mạch báo động dùng SCS như một cảm biến điện thế:
SCR. Th
VR~
. +
- . D2
D1 R
22
0V
/5
0H
z
Tải
+ - VL
Hình 12
Góc dẫn
Triac dẫn
t
L V
SCS còn được gọi là Tetrode thyristor (thyristor có 4 cực). Về mặt cấu tạo, SCS
giống như SCR nhưng có thêm một cổng gọi là cổng anod nên cổng kia (ở SCR) được
gọi là cổng catod.
vậy, k g dư
ng vào ậ
đ
V
N
N
Anod
A
K
Catod
GK
Cổng
Catod
Cấu tạo
P
P
GA
Cổng
Anod
K
G
A
K
GA
A
K
GK
GA
Mô hình tương đương
Hình 13
Ký hiệu
K
A
GK
GA
Trang 135 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
ngõ vào thường người ta mắc ng kim loại, khi sờ tay vào, SCS dẫn điện
Led t ng ứng cháy sáng, Relais hoạt động đóng mạch báo động hoạt động.
C
c cổng hay đúng hơn là một
transistor không có cực nền. Hình sau đây mô tả cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương
một h u điện thế một chiều theo một chiều nhất định thì khi đến điện thế
VBO, DIAC dẫn điệ p hiệu thế theo chiều ngược lại thì đến trị số -VBO, DIAC
cũng dẫn điện, D ể hiện một điện trở âm (đ ha DIAC giảm khi dòng
điện qua DIAC tă ừ các tính chất trên, DIAC tương đương với hai Diode Zener mắc
đối đầu. Thực tế, khi không có DI ười ta có thể dùng hai D điện thế
Zener thích hợp để thay thế. (Hình 17)
rong ứng dụng, DIAC thường dùng để mở Triac. Thí dụ như mạch điều chỉnh độ
sáng của bóng đèn (Hình 18)
Ở
ươ
một miế
IV. DIA
Về cấu tạo, DIAC giống như một SCR không có cự
của DIAC.
Khi áp iệ
n và khi á
IAC th
ng). T
iện thế i đầu
AC, ng iode Zener có
T
INPUT 2
+12V
1K 1K
10K
LED
1K
INPUT 3
Relay
LED
10K
LED
10K
INPUT 1
Hình 15
Relais đóng
mạch báo
động
p
p
n
n
n
Anod 1
Anod 2
Cấu tạo
Anod 1
Anod 2
Ký hiệu
Anod 1
Anod 2
Tư đương ơng
Anod 1
Anod 2
Hình 16
Trang 136 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
0 V
I
110V/50Hz
Bóng Đèn
VR
-VBO
+VBO
C
Hình 18
bán ký dương thì điện tăng, tụ nạ iện cho đến điện BO thì DIAC dẫn,
tạo dòng kích cho Triac dẫn điện. Hế ỳ ơng, Triac ng Đến bán kỳ âm tụ
C nạp điện theo chiều ngược lại đến điện thế -VBO, DIA i dẫn điện kích Triac dẫn
điện. Ta thay đổi VR để thay đổi thời hằng nạp điện của tụ C, do đó thay đổi góc dẫn của
Triac đưa đến làm thay đổi độ sáng của bóng .
V. DIOD SHOCKLEY.
Diod shockley gầm có 4 lớp bán d N (diod 4 lớp) nhưng chỉ có hai cực. Cấu
o cơ bản và ký hiệu cùng với đặc tuyến Volt-Ampere khi phân cực thuận được mô tả ở
hình vẽ sau đây:
Hình 17
Ở thế p đ thế V
ưng. t bán k dư tạm
C lạ
đèn
ẫn PNP
220V/50Hz
N
N
tạ
Anod
A + A
K
Catod
P
P
Hình 19
- K
IA
-
+
Vf
IBO
VBO0
Vf
Trang 137 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ta thấy đặc tuyến giống như SCR lúc dòng cổng IG=0V, nhưng điện thế quay về
VBO của Diod shockley nhỏ hơn nhiều. Khi ta tăng điện thế phân cực thuận, khi điện thế
anod-catod tới trị số VBO thì Diod shockley bắt đầu dẫn, điện thế hai đầu giảm nhỏ và sau
đó ho
- Bán kỳ dương C nạp điện đến điện thế VBO thì Diod shockley dẫn điện, kích
SCR dẫn.
Bán kỳ âm, Diod shoc ưng, SCR cũng ngưng.
VI. GTO (GATE TURN – OFF SWITCH).
ạt động như Diod bình thường.
Áp dụng thông thường của Diod shockley là dùng để kích SCR. Khi phân cực
nghịch, Diod shockley cũng không dẫn điện.
110V/50Hz
R
C
Tải
Hình 20
220V/50Hz
, tụ
kley ng
GTO là một linh kiện có 4 lớp bán dẫn PNPN như SCR. cấu tạo và ký hiệu được mô
tả như sau:
N
N
Anod
A
K
Catod
P
P
G
Cổng
G
Cổng
A
K
Catod
Hình 21
Ký hiệu
Anod
Trang 138 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Tuy có ký hiệu khác với SCR và SCS nhưng các tính chất thì tương tự. Sự khác biệt
cơ bản cũng là sự tiến bộ của GTO so với SCR hoặc SCS là có thể mở hoặc tắt GTO chỉ
bằng một cổng (mở GTO bằng cách đưa xung dương vào cực cổng và tắt GTO bằng cách
đưa xung âm vào cực cổng).
- So với SCR, GTO cần dòng điện kích lớn hơn (thường hàng trăm mA)
nữa của GTO là tính chuyển mạch. Thới gian mở của
GTO cũng giống như SCR (khoảng 1µs), nhưng thời gian tắt (thời gian chuyển từ trạng
thái dẫn điện sang trạng thái ngưng d hì nhỏ hơn SCR rất nhiều (khoảng 1µs ở GTO
và từ 5µs đến 30µs ở SCR). Do đó GTO dùng như một linh kiệncó chuyển mạch nhanh.
GTO thường được dùng rất phổ biến trong các mạch đếm, mạch tạo xung, mạch điều hoà
điện sau đây là một ứng dụn
Diod Zener.
ấp điện, GTO dẫn, anod và catod xem như nối tắt. C1 nạp điện đến điện thế
nguồn VAA, lúc đó VGK<0 làm GTO ngưng dẫn. Tụ C1 xả điện qua R3=VR+R2. Thời gian
xả điện tùy thuộc vào t ng τ=R3C1. Khi Vo<VZ, GTO lại dẫn điện và chu kỳ mới lại
được lập lại.
- Một tính chất quan trọng
ẫn) t
thế… mạch g của GTO để tạo tín hiệu răng cưa kết hợp với
VAA=+200V
A
K
R2
Khi c
hời hằ
Hình 23
Vo
VAA
VZ
0
+Vo
R1
VR
C1
VR
Hình 22
A
K
G
Trang 139 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
VII. UJT (UNIJUNCTION TRANSISTOR – TRANSISTOR
T
chỉ có một độc nhất nối P-N. Tuy không thông dụng như BJT, nhưng UJT có một số đặc
tính đ h tạo dạng sóng và định
giờ.
đầu tạo thành
hai c 1 2 y nhôm nhỏ
đóng vai trò chất bán dẫn loại P. Vùng P này nằm cách vùng B hoảng 70% so với chiều
dài của hai cực nền B1, B2. Dây nhôm đóng vai trò cực phát E.
Hình sau đây trình bày cách áp dụng điện thế một chiều vào các cực củ để
khảo sát các đặc tính của nó.
ĐỘC NỐI).
Transistor thường (BJT) gọi là Transistor lưỡng cực vì có hai nối PN trong lúc UJ
ặc biệt nên một thời đã giữ vai trò quan trọng trong các mạc
1. Cấu tạo và đặc tính của UJT:
Hình sau đây mô tả cấu tạo đơn giản hoá và ký hiệu của UJT
Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n- với hai lớp tiếp xúc kim loại ở hai
ực nền B và B . Nối PN được hình thành thường là hợp chất của dâ
1 k
a UJT
n-
p
B2
Nền
B1
Nền
E
Phát
E B2
B1 B2
E
B1
Hình 24
E
A
EE B1
B2D1
V
B2
R
BB
EE
E
V
R
B1
B1
V
R
BB
B2
Mạch tương đương của UJT
IE
RE
E
E
Hình 25
V
Trang 140 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
- Khi chưa áp VEE vào cực phát E (cực phát E để hở) thỏi bán dẫn là một điện trở
với nguồn điện thế VBB, được ký hiệu RBB và gọi là điện trở liên nền (thường có trị số từ
4 KΩ KΩ). Từ mô hình tương đương ta th y Diod được dùng để diễn tả nối P-N
giữa vùng P và vùng n-. Điện trở RB1 và RB2 diễn t điện trở của thỏi bán dẫn n-. Như vậy:
đến 10 ấ
ả
0I2B1BBB E
RRR =+=
điện thế tại điểm A là: Vậy
0 .V BB >η=+=A R
R
V BB
2B1B
1B V
R
Trong đó: 1B1B RR ==η được gọi là tỉ số nội tại (intrinsic stan
BB2B1B
à η được cho bởi nhà sản xuất.
RRR + d – off)
RBB v
mass), vì VA có điện thế dương nên Diod được phân
cực nghịch và ta chỉ có một dòng điện rỉ nhỏ chạy ra từ cực phát. tăng VEE lớn dần, dòng
điện theo chiều dương (d
dương dần). Khi VE có trị số
V =V +V
n và bắt đầu dẫn
điện mạnh.
iện thế VE=0,5V + η VB2B1=VP được gọi là điện thế đỉnh (peak-point voltage) của
UJT.
điện trở
âm
- Bây giờ, ta cấp nguồn VEE vào cực phát và nền B1 (cực dương nối về cực phát).
Khi VEE=0V (nối cực phát E xuống
IE bắt đầu tăng òng rỉ ngược IE giảm dần, và triệt tiêu, sau đó
E D A
VE=0,5V + η VB2B1 (ở đây VB2B1 = VBB) thì Diod phân cực thậu
Đ
Vùng
VE
0
V
IE
V
P
V
IP IV
0
lũng
Đỉnh
Thung
VE
VP
IE IV
0
VV
Hình 26
Trang 141 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Khi VE=VP, nối P-N phân cực thuận, lỗ trống từ vùng phát khuếch tán vào vùng n-
và di chuyển đến vùng nền B1, lúc đó lỗ trống cũng hút các điện tử từ mass lên. Vì độ dẫn
điện của chất bán dẫn là một hàm số của mật độ điện tử di động nên điện trở RB1 giảm.
Kết quả là lúc đó dòng IE tăng và điện thế VE giảm. Ta có một vùng điện trở âm.
Điện trở động nhìn từ cực phát E trong vùng điện trở âm là:
E
E
d I
V
r ∆
∆−=
Khi IE tăng, RB1 giảm trong lúc RB2 ít bị ảnh hưởng nên điện trở liên nền RBB giảm.
Khi IE đủ lớn, điện trở liên nền RBB chủ yếu là RB2. Kết thúc vùng điện trở âm là vùng
thung lũng, lúc đó dòng IE đủ lớn và RB1 quá nhỏ không giảm nữa (chú ý là dòng ra cực
nền B1) gồm có dòng điện liên nền B cộng với dòng phát IE ) nên VE không giảm mà bắt
đầu tăng khi I tăng. Vùng này được gọi là vùng bảo hòa.
P ủa cực phát E để t UJT hoạt động trong vùng
điện trở âm. Dòng điện thung lũng IV là dòng điện tối đa của IE trong vùng điện trở âm.
P V
EB1 điện trở âm.
i ta cho UJT hoạt động trong vùng điện trở âm,
muốn
Q B2
I
E
Như vây ta nhận thấy:
- Dòng đỉnh I là dòng tối thiểu c đặ
- Tương tự, điện thế đỉnh V là điện thế thung lũng V là điện thế tối đa và tối thiểu
của V đặt UJT trong vùng
Trong các ứng dụng của UJT, ngườ
vậy, ta phải xác định điện trở RE để IP<IE<IV
Thí dụ trong mạch sau đây, ta xác định trị số tối đa và tối thiểu của RE
EB1
BB+V
B1
R
+
-
V
VEB1
IE
0
VEB1
IE
0 IP IV
VV
VP
VBB > VP
Emax
REmin
Hình 27
R
Trang 142 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ta có:
P
PBB
P
PBB
maxE I
VV
I0
VV
I
VR
−=−
−−=∆
∆−=
Và
V
VBBVBB
minE I
V
IV0
VV
I
VR
V−=−−=∆
∆−= −
Như vậy:
P
PBB
E
V
VBB
I
VV
R
I
VV −≤≤−
2. Các thông số kỹ thuật của UJT và vấn đề ổn định nhiệt cho đỉnh:
Sau đây là các thông số của UJT:
- Điện trở liên nền RBB: là điện trở giữa hai cực nên khi cực phát để hở. RBB tăng khi
nhiệt độ tăng theo hệ số 0,8%/1oC
- Tỉ số nội tại:
BB
1B
2B1B
1B
R
R
RR
R =+=η Tỉ số này cũng được định nghĩa khi cực phát E
để hở.
iện thế đỉnh VP và dòng điện đỉnh IP. VP giảm khi nhiệt độ tăng vì điện thế
ngưỡng của nối PN giảm khi nhiệt độ tăng. Dòng I giảm khi V tăng.
- Điện thế thung lũng V và dòng điện thung lũng I . Cả V và I đều tăng khi VBB
hơn và VBB ở 10V. Trị số thông thường của VEsat là 4 volt (lớn
hơn nhiều so với diod thường).
Ổn định nhiệt cho đỉnh: Điện thế đỉnh VP là thông số quan trọng nhất của UJT. Như
đã thấy, sự thay đổi của đi đỉnh VP chủ yếu là do điện thế ngưỡng của nối PN vì tỉ
số η thay i không đáng kể
Người ta ổn định nhiệt cho VP bằ h thêm một điện trở nhỏ R2 (thường khoảng
vài trăm ohm) giữa nền B2 và nguồn VBB. Ngoài ra người ta cũng mắc một điện trở nhỏ
R1 cũng k ảng vài trăm oh cực nền B1 để lấy tín hiệu ra.
- Đ
P BB
V V V V
tăng.
- Điện thế cực phát bảo hòa VEsat: là hiệu điện thế giữa cực phát E và cực nền B1
được đo ở IE=10mA hay
ện thế
đổ .
ng các
ho m ở
Trang 143 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Khi nhiệt độ tăng, điện trở liên nền RBB tăng nên điện thế liên nền VB2B
o cho sự tăng của V
1 tăng. Chọn
R2 sa B2 N. Trị của R2
được
B1 bù trừ sự giảm của điện thế ngưỡng của nối P
chọn gần đúng theo công thức:
BB
BB
2 V
R)040(
R
→≈ 8,, η
Ngoài ra R2 còn phụ thuộc vào cấu tạo của UJT. Trị chọn theo thực nghiệm khoảng
vài tr
3. ng dụng đơn giản của UJT:
ạch dao động thư giãn (relaxation oscillator)
gười ta thường dùng UJT làm thành một mạch dao động tạo xung. Dạng mạch và
trị số các linh kiện điển hình như sau:
BB
ăm ohm.
Ứ
M
N
B2
R1
VB1
R2
E
Hình 28
BB
330
VB2
C1 .1
R1
E
R2
B1V
V
R 10K
+12V
E
22
VE
t
V
C
1
0
C1 nạp C1 xã (rất nhanh)
VB2
VB1
VE
t
t
t
VP
VV
Hình 29
=
V
P
Trang 144 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Khi cấp điện, tụ C1 bắt đầu nạp điện qua điện trở RE. (Diod phát-nền 1 bị phân cực
nghịch, dòng điện phát I xấp xỉ bằng không). Điện thế hai đầu tụ tăng dần, khi đến điện
thế đ
V. Đến đây UJT bắt đầu ngưng
và chu kỳ mới lập lại.
* Dùng UJT tạo xung kích cho SCR
- Bán kỳ dương nếu có xung đưa vào cực cổng thì SCR dẫn điện. Bán kỳ âm SCR
ngưng.
- Điều chỉnh góc dẫn của SCR bằng cách thay đổi tần số dao động của UJT.
VIII. PUT (Programmable Unijunction Transistor).
Như tên gọi, PUT giống như một UJT có đặc tính thay đổi được. Tuy vậy về cấu
tạo, PUT khác hẳn UJT
E
ỉnh VP, UJT bắt đều dẫn điện. Tụ C1 phóng nhanh qua UJT và điện trở R1. Điện thế
hai đầu tụ (tức VE) giảm nhanh đến điện thế thung lũng V
z
330
B1
470uF
110V/50Hz
SCR
100K
20K
+
F1
FUSE
V=20V
.1
47
5,6K
UJT B2
- E
Hình 30
220V/50Hz
Tải
N
N
Anod
A
K
Catod
P
P
G
Cổng
G
Cổng
Anod
A
K
Catod
Cấu tạo Ký hiệu Phân cực
R
B2
GK
R
A
V
I
AK
V
A
AA
R
K
V
B1
Hình 31
Trang 145 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Để ý là cổng G nằm ở vùng N g
anod lớn hơn điện thế catod,
ngưỡng của nối PN.
ần anod nên để PUT dẫn điện, ngoài việc điện thế
điện thế anod còn phải lớn hơn điện thế cổng một điện thế
Ta có: BBBB1B VV
R
V η==
2B1B
Trong đó:
GK RR +
2B1B
1B
RR
R
+=η như được định nghĩa trong UJT
ớ là UJT, RB1và RB2 là điện trở nội của UJT, Trong lúc ở PUT,
RB1 và R
mà V = 0,7V (thí dụ Si)
VG = ηVBB ⇒ V
T
Tuy nhiên, nên nh
B2 là các điện trở phân cực bên ngoài.
Đặc tuyến của dòng IA theo điện thế cổng VAK cũng giống như ở UJT
Điện thế đỉnh VP được tính bởi: VP = VD+ηVBB
D
P = VG + 0,7V
Tuy PUT và UJT có đặc tính giống nhau nhưng dòng điện đỉnh và thung lũng của
PUT nhỏ hơn UJ
VAK Vùng điện trở âmVP
0 IP IV IA
Hình 32
+ Mạch dao động thư giãn dùng PUT
t
VA
0
VP
V V
R
BB
B2
K
+V
R
G
A R
C R B1
K
Xả
Nạp
Hình 33
Trang 146 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Chú ý trong mạch dùng PUT, ngõ xả của tụ điện là anod. Tín hiệu ra được sử dụng
thường lấy ở catod (và có thể dùng kích SCR như ở UJT)
VG
VK = ηVBB
t
VK
VK = VP-VV
t
Hình 34
Trang 147 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
CHƯƠNG VIII
LIN UANG ĐIỆN TỬ
rong chương này, chúng ta chỉ đề cập đến một số các linh kiện quang điện tử thông
dụng như quang điện trở, quang diod, quang transistor, led… các linh kiện quang điện tử
quá đặc biệt không được
I. ÁNH SÁNG.
óng vô tuyến trong hệ thống truyền thanh, truyề ở đèn tia X
trong y khoa… Tuy có các công dụng khác nhau nhưng lại có chung một bản chất và
được gọi là sóng điện từ hay bức xạ điện từ. Điểm khác nhau cơ bản của sóng điện từ là
tần s y bước sóng. Giữa tần số và bước sóng liên hệ bằng hệ thức
H KIỆN Q
T
đề cập đến.
S n hình, ánh sánh phát
f
c=λ ố ha
Trong đó c là vận tốc ánh sáng = 3.108m/s
f là tần số tín Hz
Bước sóng λ tính bằng m. Ngoài ra người ta thường dùng các ước số:
m = 10-6m ; nm = 10-9m và Amstron = Å = 10‐10m
rared) và phía tần số cao hơn gọi là bức xạ tử ngoại
(ultraviolet).
c bước sóng khoảng 380nm)
rong vùng ánh sáng thấy được, nếu chỉ có một khoảng ngắn của dải tần số nói trên
thì cảm giác của mắt ghi nhận được 7 màu:
h bằng
µ
Sự khác biệt về tần số dẫn đến một sự khác biệt quan trọng khác là ta có thể thấy
được sóng điện từ hay không. Mắt người chỉ thấy được sóng điện từ trong một dải tần số
rất hẹp gọi là ánh sáng thấy được hay thường gọi tắt là ánh sáng. Về phía tần số thấp hơn
gọi là bức xạ hồng ngoại (inf
Ta chỉ có thể thấy được bức xạ có tần số khoảng 4.10-14Hz (tức bước sóng 750nm)
đến tần số khoảng 7,8.1014Hz (tứ
Hồng ngoại
(λ=750nm)4.1014Hz
Tử ngoại
(λ=380nm)7,8.1014Hz
T
Tím
Violet
Lơ
Blue
Lam
Cyan
Xanh lá
Green
Vàng
Yellow
Cam
Orange
Đỏ
Red
380nm 430 470 500 560 590 650 750nm
λ
Trang 148 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Chú ý là giới hạn trên chỉ có tính cách tương đối. Sự khác nhau về tần số lại dẫn đến
một sự khác biệt quan trọng nữa đó là năng lượng bức xạ. Năng lượng bức xạ tỉ lệ với tần
số th
độ sáng và được đo bằng
đơn vị footcandles. Thí dụ nguồn sáng là một bóng đèn tròn, thì ở một điểm càng xa
tỏa ra trong một góc khối (hình
a quang thông là Lumens (Lm)
hay W
2
II. QUANG ĐIỆN TRỞ (PHOTORESISTANCE).
Là điện trở có trị số càng giảm khi được chiếu sáng càng mạnh. Điện trở tối (khi
không được chiếu sáng - ở trong bóng tối) thường trên 1MΩ, trị số này giảm rất nhỏ có
thể dưới 100Ω khi được chiếu sáng mạnh
ếu vào chất bán dẫn (có
thể là Cadmium sulfide – CdS, Cadmium selenide – CdSe) làm phát sinh các điện tử tự
do, tứ
ề phương diện năng lượng, ta nói ánh sáng đã cung cấp một năng lượng E=h.f để
các điện tử nhảy từ dãi hóa trị lên dãi dẫn điện. Như vậy năng lượng cần thiết h.f phải lớn
hơn n ng lượng của dãi cấm.
eo công thức: E=h.f với h: hằng số planck = 6,624.10-34J.sec
Như ta thấy, biên độ trung bình của phổ được gọi là cường
nguồn, cường độ sáng càng yếu nhưng số lượng ánh sáng
nón) là không đổi và được gọi là quang thông. Đơn vị củ
att.
1 Lm = 1,496.10-10 watt
Đơn vị của cường độ ánh sáng là foot-candles (fc), Lm/ft2 hay W/m2. Trong đó:
1 Lm/ft2 = 1 fc = 1,609.10-12 W/m
λ
Nguyên lý làm việc của quang điện trở là khi ánh sáng chi
Ký hiệu
Hình 1
Hình dạng
c sự dẫn điện tăng lên và làm giảm điện trở của chất bán dẫn. Các đặc tính điện và
độ nhạy của quang điện trở dĩ nhiên tùy thuộc vào vật liệu dùng trong chế tạo.
Điện trở Ω
0 fc
1000
10
0,1 10 100 1000
Hình 2
5
10000
V
ă
Trang 149 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Và của quang điện trở:
Qua iệ ở được dùng rất phổ b trong các mạch điều khiển
1. M động:
Khi quang điện tr được chiếu sáng (trạng thái th n trở nhỏ, điện
thế cổng của SCR giảm nhỏ không g kích nên SCR ngưng. Kh nguồn sáng bị
chắn
i ứng dụng
ng đ n tr iến
ạch báo
λ
SCR
Nguồn sáng hồng ngoại
R1
Bóng đèn hoặc chuông tải B+
Hình 3
ở ường trực) có điệ
i đủ dòn
, R tăng nhanh, điện thế cổng SCR tăng làm SCR dẫn điện, dòng điện qua tải làm
cho mạch báo động hoạt động.
Người ta cũng có thể dùng mạch như trên, với tải là một bóng đèn để có thể cháy
sáng về đêm và tắt vào ban ngày. Hoặc có thể tải là một relais để điều khiển một mạch
báo động có công suất lớn hơn.
2. Mạch mở điện tự động về đêm dùng điện AC:
TRIAC
DIAC
Bóng đèn
15K
1K
A
110V/50Hz
.1
Hình 4
22
λ
Trang 150 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Ban ngày, trị số của quang điện trở nhỏ. Điện thế ở điểm A không đủ để mở Diac
nên Triac không hoạt động, đèn tắt. về đêm, quang trở tăng trị số, ng điện thế ở
điểm A, thông Diac và kích Triac dẫn điện, bóng đ sáng lên.
III. QUANG DIOD (PHOTODIODE).
Ta biết rằng khi một nố -N được phân c ận thì vùng hiếm hẹp và dòng thuận
lớn vì do hạt tải điện đa số (điện tử ở chất bán dẫn loại N và lỗ trống ở chất bán dẫn loại
P) di chuyển tạo nên. Khi phân cực nghịch, vùng hiếm rộng và chỉ có dòng điện rỉ nhỏ
(dòng bả ịch I0)
ốt), ta thấy dòng điện
nghịch tăng lên gần như tỉ lệ với quang thông trong lúc dòng điện thuận không tăng. Hiện
tượng này được dùng để chế tạo quang diod.
Khi ánh sáng chiếu vào nối P-N có đủ năng lượng làm phát sinh các cặp điện tử - lỗ
trống ở sát hai bên mối nối làm mật độ hạt tải điện thiểu số t ng lên. Các hạt tải điện
thiểu số này khuếch tán qua mối nối tạo nên dòng điện đáng kể cộng thêm vào dòng điện
bảo hòa nghịch I0 tự nhiên của diod, thường là dưới vài trăm nA với quang diod Si và
dưới vài chục µA với quang diod Ge.
Độ ng diod tùy thu ất bán dẫn là Si, Ge hay Selenium
vẽ sau ộ nhạ ủa ánh sáng c chất bá
làm tă
èn
i P ực thu
chạy qua.o hòa ngh
I
R
V
Ký hiệu Phân cực
Hình 5
Bây giờ ta xem một nối P-N được phân cực nghịch. Thí nghiệm cho thấy khi chiếu
sáng ánh sáng vào mối nối (giả sử diod được chế tạo trong su
ă
nhạy của qua
đây cho thấy đ
ộc vào ch
y đó theo tần số c
… Hình
n dẫn này: chiếu vào cá
Trang 151 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
λ(Ao)
Độ nhạy (%)
100
75
50
25
2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000
0
Si Se Ge
Tử ngoại Ánh sáng th
Đặc tuyến V-I của quang diod với qua g là thông số cho thấy ở quang thông
nhỏ khi điện thế phân cực nghịch nhỏ, dòng ng theo điện thế phân cực, nhưng khi
điện ế
).
nsistor là nới rộng đương nhiên của quang diod. Về mặt cấu tạo, quang
transistor cũng giống như transistor thường nhưng cực nền để hở. Quang transistor có
một t
ác dòng điện rỉ
(điện thế V lúc đó khoảng vài chục mV ở transistor Si) và nối thu-nền được phân cực
nghịc
hát được phân cực thuận chút ít nên dòng điện cực thu
là Ico(1+β). Đây là dòng tối của quang transistor.
ấy được Hồng ngoại
0
4000fc
3000fc
2000fc
1000fc
L = 0
Điện thế phân cực nghịch
Hình 7
Dòng điện nghịch mA
Dòng tối 0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
ng thôn
điện tă
thế phân cực lớn hơn vài volt, dòng điện gần như bảo hòa (không đổi khi điện th
phân cực nghịch tăng). khi quang thông lớn, dòng điện thay đổi theo điện thế phân cực
nghịch. Tần số hoạt động của quang diod có thể lên đến hành MHz. Quang diod cũng
như quang điện trở thường được dùng trong các mạch điều khiển để đóng - mở mạch
điện (dẫn điện khi có ánh sáng chiếu vào và ngưng khi tối).
IV. QUANG TRANSISTOR (PHOTO TRANSISTOR
Quang tra
hấu kính trong suốt để tập trung ánh sáng vào nối P-N giữa thu và nền.
Khi cực nền để hở, nối nền-phát được phân cực thuậnchút ít do c
BE
h nên transistor ở vùng tác động.
Vì nối thu-nền được phân cực nghịch nên có dòng rỉ Ico chạy giữa cực thu và cực
nền. Vì cực nền bỏ trống, nối nền-p
Trang 152 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Khi có ánh sáng chiếu vào mối nối thu nền thì sự xuất hiện của iệ
trống như trong quang diod làm phát sinh một dòng điện Iλ do ánh sáng nên dòng điện
thu trở thành: IC=(β+1)(Ico+Iλ)
Như vậy, trong quang transistor, cả dòng tối lẫn dòng chiếu sáng đều được nhân lên
(β+1) lần so với quang diod nên dễ dàng sử dụng hơn. Hình trên trình bày đặc tính V-I
của quang transistor với quang thông là một thông số. Ta ấy đặc tuyến này giống như
đặc tuyến của transistor thường mắc theo kiểu cực phát chung.
Có nhi quang transistor nh ột transistor dùng để c ch dùng
trong các mạch điều khiển, mạch đếm… lo g transistor Darlington có độ nhạy rất
cao. Ngoài ra người ta còn chế tạo các quang SCR, quang triac…
Vài ứng dụng của quang transistor:
Đây là mạch đơn giản để đo cường độ ánh sáng, biến trở 5K dùng để chuẩn máy
nhờ ạch, quang transistor càng dẫn
mạnh, kim điện kế lệch càng nhiều. Dĩ nhiên ở mạch trên ta cũng có thể dùng quang điện
trở hay quang diod nhưng kém nhạy hơn.
các cặp đ n tử và lỗ
th
ều loại ư loại m huyển mạ
ại quan
1. Quang kế:
một quang kế mẩu. Khi ánh sáng chiếu vào càng m
0
∅5
∅4
∅3
∅2
∅1
VĐặc tuyến V-I CE
Quang thông
4
5
IC (mA)
1
2
3
N
P
N
B
f
R IC
olt
h
VCC
v
Ký hiệu Phân cực
Hình 8
Quang transistor Quang Darlington
A T2
T1
G
K
Quang SCR Quang TRIAC
Hình 9
Trang 153 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
2 óng hay tắt Relais:
Trong mạch đóng relais, khi quang transistor được chiếu sáng nó dẫn điện làm T1
thông uang
transistor không được chiếu sáng nên quang transistor ngưng và T luôn thông, Relais ở
trạng
V. D NG
Ở quang trở, quang diod và quang transistor, năng lượng củaq ánh sáng chiếu vào
chất bán dẫn và cấp năng lượng cho các điện tử vượt dãi cấm. Ngược lại khi một điện tử
từ dãi dẫn điện rớt xuống dãi hoá trị thí sẽ phát ra một năng lượng E=h.f
Khi phân cực thuận một nối P-N, điện tử tự do từ vùng N xuyên qua vùng P và tái
hợp với lỗ trống (về phương diện năng lượng ta nói các điện tử trong dãi dẫn điện – có
năng lượng cao – rơi xuống dãi hoá trị - có năng lượng thấp – và kết hợp với lỗ trống),
khi tái hợp thì sinh ra năng lượng.
. Đ
9V
5KΩK
Hình 10
T1T1
+12V
T2
C
T2
.1 .1R
RelayRelay
R
+12V
Hình 11
C
, Relais hoạt động. Ngược lại trong mạch tắt relais, ở trạng thái thường trực q
1
thái đóng. Khi được chiếu sáng, quang transistor dẫn mạnh làm T1 ngưng, Relais
không hoạt động (ở trạng thái tắt).
IOD PHÁT QUANG (LED-LIGHT EMITTI
DIODE).
Trang 154 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Dải dẫn điện
Dải hóa trị
Dải
cấmhf
Đối với diod Ge, Si thì năng lượng phát ra dưới dạng nhệit. Nhưng đối với diod cấ
tạo bằng GaAs (
Hình 12
u
Gallium Arsenide) năng lượng phát ra là ánh sáng hồng ngoại (không
thấy
trung ánh sáng phát ra ngoài.
điện công
suất t ưu điểm
rất lớn của nối quang.
Hình sau đây giới thiệu một số nối quang điển hình:
được) dùng trong các mạch báo động, điều khiển từ xa…). Với GaAsP (Gallium
Arsenide phosphor) năng lượng phát ra là ánh sáng vàng hay đỏ. Với GaP (Gallium
phosphor), năng lượng ánh sáng phát ra màu vàng hoặc xanh lá cây. Các Led phát ra ánh
sáng thấy được dùng để làm đèn báo, trang trí… Phần ngoài của LED có một thấu kính
để tập
Để có ánh sáng liên tục, người ta phân cực thuận LED. Tùy theo vật liệu cấu tạo,
điện thế thềm của LED thay đổi từ 1 đến 2.5V và dòng điện qua LED tối đa khoảng vài
mA.
VI. NỐI QUANG.
(OPTO COUPLER-PHOTOCOUPLER-OPTOISOLATOR)
Một đèn LED và một linh kiện quang điện tử như quang transistor, quang SCR,
quang Triac, quang transistor Darlington có thể tạo nên sự truyền tín hiệu mà không cần
đường mạch chung.
Các nối quang thường được chế tạo dưới dạng IC cho phép cách ly phần
mà thường là cao thế khỏi mạch điều khiển tinh vi ở phía LED. Đây là mộ
Ký hiệu
LED
Phân cực
cc V
R
I D
D
V
Đặc tuyến
ID (mA)
VD (
10
8
6
4
2
0 volt)1 2 1.5 .7 3
Si GaAs
GaAsP đỏ GaAsP vàng
GaP lục
Hình 13
Trang 155 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
4N25 (Transistor output)
5
4N29 (Darlington output)
2 5
1
2
6 1 6
3 4 3 4
λ λ
HC11C
1
2
3
6
4
MOC3021 (Triac output)
1
2
3
6
4
Hình sau đây giới thiệu một áp dụng của nối quang
Bả ệ nối q ng khi n thế lớ bớ đ
hi LED sáng, nối quang hoạt động kích hai SCR h (mỗi SCR hoạt động
ở kỳ khi có xung kích từ nối quang) cấp dòng cho tải.
- Khi LED tắt, nối quang n , 2 S ưng, ng t dòng qua tả
là m t ví d ch lid e –
- Q1:
- K
một bán
o v ua điệ nguồn n (chia t dòng iện qua LED).
oạt động
gưng
SSR (So
CR ng
– Stat
ắ
Relay).
i.
- Mạch này ộ ụ về mạ
2 (SCR output)
5 5 λ
λ
Hình 14
110Vrms
270
U1
MOC3021
1
2
6
4
51 51
0
51
0Q1
150 Tải
Hình 15
I
30
V
n
3V
→
220VAC
Trang 156 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
CH
SƠ L
I. KH VỀ IC - SỰ KẾT TỤ TRONG HỆ THỐNG
phần tác động và thụ động
đều đ y thân hoặc không thể tách
rờ hể là một phiến bán dẫn (hầu hết là Si) hoặc một phiến cách
điệ
ậy
thườn l ể
hiện t
tử cũ
đuổi l
các m
từ tần
yếu c
nhiều củ
Nhữ ất nhiều thành phần, bộ phận.
Do đ
đến hàng triệu, hàng vài chục triệu bộ phận rời. Nếu không
thự thể tích của nó sẽ lớn một cách bất tiện mà
điệ ức tạp. Mà nếu có thỏa mãn chăng nữa, thì
máy
i tiếp giữa chúng. Hệ thống cáng
phức nhiều. Vì vậy, nếu dùng bộ phận rời
cho c
trặc rất n
3. T h t của một hệ thống điện tử gồm n thành phần sẽ là:
ƯƠNG IX
ƯỢC VỀ IC
ÁI NIỆM
ĐIỆN TỬ.
IC (Intergated-Circuit) là một mạch điện tử mà các thành
ược chế tạo kết tụ trong hoặc trên một đế (subtrate) ha
i nhau được. Đế này, có t
n.
Một IC thường có kích thước dài rộng cỡ vài trăm đến vài ngàn micron, dày cỡ vài
trăm micron được đựng trong một vỏ bằng kim lọai hoặc bằng plastic. Những IC như v
g à một bộ phận chức năng (function device) tức là một bộ phận có khả năng th
mộ chức năng điện tử nào đó. Sự kết tụ (integration) các thành phần của mạch điện
ng như các bộ phận cấu thành của một hệ thống điện tử vẫn là hướng tìm tòi và theo
âtừ u trong ngành điện tử. Nhu cầu của sự kết tụ phát minh từ sự kết tụ tất nhiên của
ạch và hệ thống điện tử theo chiều hướng từ đơn giản đến phức tạp, từ nhỏ đến lớn,
số thấp (tốc độ chậm) đến tần số cao (tốc độ nhanh). Sự tiến triển này là hậu quả tất
ủa nhu cầu ngày càng tăng trong việc xử lý lượng tin tức (information) ngày càng
a xã hội phát triển.
ng hệ thống điện tử công phu và phức tạp gồm r
ó nảy ra nhiều vấn đề cần giải quyết:
1. Khoảng không gian mà số lượng lớn các thành phần chiếm đoạt (thể tích). Một
máy tính điện tử cần dùng
c hiện bằng mạch IC, thì không những
n năng cung cấp cho nó cũng sẽ vô cùng ph
cũng không thực dụng.
2. Độ khả tín (reliability) của hệ thống điện tử: là độ đáng tin cậy trong hoạt động
đúng theo tiêu chuẩn thiết kế. Độ khả tín của một hệ thống tất nhiên phụ thuộc vào độ
khả tín của các thành phần cấu thành và các bộ phận nố
tạp, số bộ phận càng tăng và chỗ nối tiếp càng
ác hệ thống phức tạp, độ khả tín của nó sẽ giảm thấp. Một hệ thống như vậy sẽ trục
hanh.
uổi thọ trung bìn
n21
1 ......1
t
1
t
1 +++=
tt
Nếu t1=t2=...=tn thì n
tt i=
Trang 157 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Vậy nếu một transistor có tuổi thọ là 108h, thì một máy tính gồm 500000 ngàn
transistor sẽ chỉ có tuổi thọ giôø 200
5
108 =
10. 5
IC được chế tạo đồng thời và cũng cùng phương pháp, nên
tuổi thọ IC xấp xỉ một tuổi thọ một transistor Planar.
4. Một hệ thống (hay một máy) điện tử có cấu tạo như hình vẽ:
Song
khái m
với mật , nằm hướng tới việc kết tụ toàn thể hệ thống điện tử trên một
phiếm (chíp)
Các thành phần trong
Vật liệu Bộ phận linh kiện
Mạch điện
tử cơ bản
Bộ phận cấu
thành hệ thống
Hệ thốn
điện tử
g
ố
Bộ phận chức năng
Sự kết tụ áp dụng vào IC thường thực hiện ở giai đoạn bộ phận chức năng.
niệ kết tụ không nhất thiết dừng lại ở giai đoạn này. Người ta vẫn nỗ lực để kết tụ
độ cực cao trong IC
Năm 1947 1950 1961 1966 1971 1980 1985 1990
Công
nghệ
Phát
minh
Transi
-stor
Linh
kiện
rời
SSI MSI LSI VLSI ULSI GSI
Số
Transistor
trên 1
chip t
thương
rong
các sản
phẩm
1 1 10 100→ 1000
1000→
20000
20000
→
500000
>500000 >1000000
mại
Các sản
Linh Mạch Vi xử lý
phẩm
biể
BJT
kiện
planar,
Flip Flop
đếm, đa
cộng
Vi xử
lý 8 bit, Vi xử
chuyên
dụng, xử
thực
tiêu
u
Diode Cổng
logic,
hợp,
mạch ROM, RAM
lý 16 và
32 bit lý ảnh, thờI gian
SSI: Small scale integration: Tích hợp qui mô nhỏ
MSI: Medium scale intergration: Tích hợp qui mô trung bình
scale integration: Tích hợp theo qui mô lớn
GSI: Ultra large scal : Tích h mô khổng lồ
Tóm lại, công nhệ IC đưa ng điểm l ỹ thuật linh kiện rời như sau
- Giá thành sản phẩm
- Kích cỡ
- Độ khả tín cao (tất cả các thành ph c chế tạo cùng lúc và không có những
LSI: Large
e integration ợp qui
đến nhữ
hạ
ợi so với k :
nhỏ
ần đượ
Trang 158 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
điểm hàn, nối).
- Tăng chất lượng (do giá thành hạ, các mặt phức tạp hơn có thể được chọn để hệ thống
nhất).
- Các linh kiện được phối hợp tốt (matched). Vì tất cả các transistor được chế tạo đồng
cùng một qui trình nên các thông số tương ứng của chúng về cơ bản có cùng độ
lớn đối với sự biến thiên của nhiệt độ.
l
rên một đế bằng chất cách điện, dùng các lớp mà n các thành phần khác.
ở, tụ điện, và cuộn cảm
điện trở súât nhỏ như Au, Al,Cu...
điện trở suất lớn như Ni-Cr; Ni-Cr-Al;
bản cực và dùng màng điện môi SiO;
ó điện dung lớn hơn 0,02µF/cm2.
ạo được cảm lớn
ợplý. Trong sơ đồ IC, ngườ ránh dùng cuộn cảm để không
Cách điện giữa các bộ phận: Dùng SiO; SiO2; Al2O3.
Transistor màng mỏng được nghiên cứu rất nhiều để ứng dụng vào IC
i đoậ ực dụng, u p i là
ng thực dụng.
2. IC đơn tính thể (Monolithic IC):
dùng một đế (Subtrate) bằng chất
g là Si). Trên (hay trong) đế đó, người ta chế tạo tran tor de iện
ở, tụ điện. Rồi dùng chất cách điện SiO2 để phủ lên che chở cho các b hận ớp
iO2, dùng màng kim loại để nối các bộ phận với nhau.
− Transistor, diode đều là các bộ phận bán dẫn.
− Điện trở: được chế tạo bằng cách lợi dụng điện trở của lớp bán dẫn có khuếch tán tạp
chất.
− Tụ điện: Được chế tạo bằng cách lợi dụng điện dung của vùng hiếm i một nối P-N bị
phân cực nghịch.
Đôi khi người ta thêm những thành phần khác hơn của các thành p n kể trên
ể dùng cho các mục đích đặc thù
đạt đến những tính năng tốt
thời và
- Tuổi thọ cao.
II. CÁC LOẠI IC.
Dựa trên qui trình sản xuất, có thể chia IC ra làm 3
1. IC màng (film IC):
oại:
T ng tạo nê
Loại này chỉ gồm các thành phần thụ động như điện tr
− Dây nối giữa các bộ phận: Dùng màng kim loại có
− Điện trở: Dùng màng kim loại hoặc hợp kim có
Cr-Si; Cr có thể tạo nên điện trở có trị số rất lớn.
mà thôi.
− Tụ điện: Dùng màng kim loại để đóng vai trò
SiO2, Al2O3; Ta2O5. Tuy nhiên khó tạo được tụ c
− Cuộn cảm: dùng một màng kim loại hình xoắn. Tuy nhiên khó t
thước h
cuộn
quá 5µH với kích i ta t
chiếm thể tích.
−
Có một thời,
màng. Nhưng tiếc là transistor màng chưa đạt đến gia
ít có triển vọ
n th nế không hả
Còn gọi là IC bán dẫn (Semiconductor IC) – là IC
bán dẫn (thườn sis , dio , đ
ộ p đó trên ltr
S
tạ
có thể hầ
đ
Trang 159 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Các thành phần trên được chế tạo thành một số rất nhiều trên cùng một chip. Có rất
hiều mối nối giữa chúng và chúng được cách ly nhờ những nối P-N bị phân cực nghịch
(điện àng trăm MΩ)
3. IC lai (hibrid IC).
Là loại IC lai giữa hai loại trên
Từ vi mạch màng mỏng (chỉ chứa các thành phần thụ động), n a gắn ngay trên
đế của nó những thành phần tích cực (transistor, diode) tại những n i đã dành sẵn. Các
transistor và diode gắn trong mạch lai không cần có vỏ hay để riêng được bảo
vệ bằng một lớp men tráng.
Ưu điểm của mạch lai là:
- Có thể tạo nhiều IC (Digital hay Analog)
- Có khả năng tạo ra các phần tử thụ động có các giá trị khác nhau với sai số nhỏ.
iode và ngay cả
hế tạo, người ta có thể dùng qui trình phối hợp. Các thành phần tác
động
nên các đặc tính và thông số của các thành phần thụ
độ uộc vào các đặc tính và thông số của các thành phần tác động mà chỉ
ph lựa chọn vật liệu, bề dầy và hình dáng. Ngoài ra, vì các transistor của
IC lo
ật màng, trên một
diện Điều khiển tốc độ
ngưn rất cao.
III. ƠN
TINH TH
oạn chế tạo một IC đơn tinh thể có thành phần tác động là BJT, được đơn
giản
n
trở có h
gười t
ơ
, mà chỉ cần
- Có khả năng đặt trên một đế, các phần tử màng mỏng, các transistor, d
các loại IC bán dẫn.
Thực ra khi c
được chế tạo theo các thành phần kỹ thuật planar, còn các thành phần thụ động thì
theo kỹ thuật màng. Nhưng vì quá trình chế tạo các thành phần tác động và thụ động
được thực hiện không đồng thời
ng không phụ th
ụ thuộc vào việc
ại này nằm trong đế, nên kích thước IC được thu nhỏ nhiều so với IC chứa transistor
rời.
IC chế tạo bằng qui trình phối hợp của nhiều ưu điểm. Với kỹ thu
tích nhỏ có thể tạo ra một điện trở có giá trị lớn, hệ số nhiệt nhỏ.
g động của màng, có thể tạo ra một màng điện trở với độ chính xác
SƠ LƯỢC VỀ QUI TRÌNH CHẾ TẠO MỘT IC Đ
Ể.
Các giai đ
hóa gồm các bước sau:
Bước 1:
0.15mm
25 – 75mm
n - Si
Nền P-Si
n - Si
Nền P-Si
0.5µm
SiO2
Hình 1
0.025mm
0.15mm
Trang 160 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
a. Từ một nền P-Si (hoặc n-Si) đơn tinh thể
b. Tạo một lớp epitaxy mỏng loại N-Si
Đầu tiên, vẽ sơ đồ những nơi cần mở cửa sổ,
chụp hình sơ đồ rồi lấy phim
Những nơi cần mở của sổ là vùng tối trên phim
a. Bôi m cản quang trên bề mặt. Đặt phim ở trên rọi
tia
phim b ể vào dung dịch tricloetylen.
Chỉ ữ
các
b.Lại đem ịch fluorhydric. Chỉ
nhữ
hác nhờ lớp cản quang che chở.
Đem tẩy lớp cản quang
d. Khuếch tán chất bán dẫn P sâu đến thân, tạo ra các đảo
N.
e. Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn P vào các đảo N
(khuếch tán Base)
f. Lại mở cửa sổ, khuếch tán chất bán dẫn N vào (khuếch
tán Emitter)
g. Phủ kim loại. Thực hiện các chỗ nối
Thí dụ:
Một mạch điện đơn giản như sau, được chế tạo dưới dạng
IC đơn tinh thể.
c. Phủ một lớp cách điện SiO2
Bước 2:
Dùng phương pháp quang khắc để khử lớp SiO2 ở
một số chỗ nhất định, tạo ra các cửa sổ ở bề mặt tinh
thể. Từ các cửa sổ, có thể khuếch tán tạp chất vào.
P-Si
film
uv
Chất cảm
quang
SiO2
n-Si
P-Si
Chất cảm
âm bản, thu nhỏ lại.
ột lớp
quang
SiO2
n-Si
Hòa tan Rắn lại
P-Si
cực tím vào những nơi cần mở cửa sổ được lớp đen trên
ảo vệ. Nhúng tinh th
Hòa tan nh ng nơi cần mở cửa sổ lớp cản quang mới bị hòa tan,
nơi khác rắn lại.
tinh thể nhúng vào dung d
ng nơi cần mở cửa sổ lớp SiO2 bị hòa tan, những nơi
k
c.
SiO2
n-Si
Thân
P
n n
SiO2
Khuếch tán p
Đảo
Nền
P n n
SiO2
Khuếch tán Base
p p
Nền
P n n
SiO2
Khuếch tán Emitter
p p
n n
Hình 2
5
1
D1 D1
3 42
R
Hình 3
Trang 161 Biên soạn: Trương Văn Tám
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Trang 162 Biên soạn: Trương Văn Tám
IV. IC SỐ (IC DIGITAL) VÀ IC TƯƠNG TỰ (IC
ANALOG).
Dựa trên chức năng xử lý tín hiệu, người ta chia IC là hai loại: IC Digital và IC
Analog (còn gọi là IC tuyến tính)
1. IC Digital:
Là loại IC xử lý tín hiệu số. Tín hiệu số (Digital signal) là tín hiệu có trị giá nhị phân
(0 và 1). Hai mức điện thế tương ứng với hai trị giá (hai logic) đó là:
- Mức High (cao): 5V đối với IC CMOS và 3,6V đối với IC TTL
- Mức Low (thấp): 0V đối với IC CMOS và 0,3V đối với IC TTL
Thông thường logic 1 tương ứng với mức H, logic 0 tương ứng với mức L
Logic 1 và logic 0 để chỉ hai trạng thái đối nghịch nhau: Đóng và mở, đúng và sai,
cao và thấp…
Chủng loại IC digital không nhiều. Chúng chỉ gồm một số các loại mạch logic căn
bản, gọi là cổng logic.
Về công nghệ chế tạo, IC digital gồm các loại:
- RTL: Resistor – Transistor logic
- DTL: Diode – Transistor logic
- TTL: Transistor – Transistor logic
Thân p
n
p
n
p
n+
n
p
n+ n+n+ n+
Điện trở
2B
Diode
1B
Transistor
5 4B
Diode nối
3B Kim loại Al B
SiOB2
Collector
Base
Emitter Tiếp xúc kim loại
Hình 4B
Giáo trình Linh Kiện Điện Tử
Trang 163 Biên soạn: Trương Văn Tám
- MOS: metal – oxide Semiconductor
- CMOS: Complementary MOS
2. IC analog:
Là loại IC xử lý tín hiệu Analog, đó là loại tín hiệu biến đổi liên tục so với IC Digital, loại
IC Analog phát triển chậm hơn. Một lý do là vì IC Analog phần lớn đều là mạch chuyện dụng
(special use), trừ một vài trường hợp đặc biệt như OP-AMP (IC khuếch đại thuật toán), khuếch
đại Video và những mạch phổ dụng (universal use). Do đó để thoả mãn nhu cầu sử dụng, người
ta phải thiết kế, chế tạo rất nhiều loại khác nhau.
Tài liệu tham khảo
**********
1. Fleeman - Electronic Devices, Discrete and Intergrated - Printice - Hall International-
1998.
2. Boylestad and Nashelky - Electronic Devices and Circuit Theory - Printice - Hall
International 1998.
3. J.Millman - Micro electronics, Digital and Analog, Circuits and Systems - Mc.Graw.Hill
Book Company - 1979.
4. Nguyễn Hữu Phương - Điện tử trung cấp - Sở Giáo Dục & Đào Tạo TP HCM-1992
Các file đính kèm theo tài liệu này:
- giaotrinhlinhkien.pdf