Luận văn Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (led) chế tạo bằng phương pháp mocvd
NGHIÊN CỨU CẤU TRÚC GIẾNG LƯỢNG TỬ InGaN/GaN TRONG ĐIÔT PHÁT SÁNG (LED) CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP MOCVD TRẦN BÌNH TỊNH Trang nhan đề Lời cảm ơn Mục lục Danh mục Chương 1: Tổng quan về điôt phát sáng Chương 2: Kết quả phân tích cấu trúc bán dẫn phát sáng InGaN/GaN dùng trong LED Kết luận & kiến nghị Tài liệu tham khảo Phụ lục
Bạn đang xem trước 20 trang tài liệu Luận văn Nghiên cứu cấu trúc giếng lượng tử InGaN/GaN trong điôt phát sáng (led) chế tạo bằng phương pháp mocvd, để xem tài liệu hoàn chỉnh bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên
Các file đính kèm theo tài liệu này:
5.PDF- 0_3.PDF
- 1_2.PDF
- 2.PDF
- 3.PDF
- 4_2.PDF
- 6_2.PDF
- 7.PDF
- 8.PDF
