Ứng dụng cảm biến đo áp suất MEMS

63 BÀI THỰC TẬP CHUYÊN ĐỀ KHẢO SÁT ĐẶC TRƯNG VÀ KHẢ NĂNG ỨNG DỤNG CỦA CẢM BIẾN ÁP SUẤT MEMS 1. Mục đích Khảo sát cảm biến áp suất chế tạo theo công nghệ MEMS, trên cơ sở đó thực hiện một bài toán sử dụng cảm biến áp suất: Bài toán cảnh báo áp suất. 2. Dụng cụ thực nghiệm • Buồng tạo áp suất • Bơm khí • Van xả • Áp kế thuỷ ngân • Các cảm biến • Mạch điều khiển A. CƠ SỞ LÝ THUYẾT 1. Tổng quan về MEMS Vào thế kỷ XX, các thiết bị điện tử được tích hợp với số lượng ngày càng lớn, kích thước ngày càng nhỏ và chức năng ngày càng được nâng cao. Điều này đã mang lại sự biến đổi sâu sắc cả về mặt công nghệ lẫn xã hội. Vào cuối những năm 50 của thế kỷ XX, một cuộc cách mạng hoá về công nghệ micro đã diễn ra và hứa hẹn một tương lai cho tất cả các ngành công nghiệp. Hệ thống vi cơ điện tử (Micro ElectroMechanical Systems) viết tắt là MEMS cũng đã được ra đời và phát triển trong giai đoạn này. Công nghệ vi cơ đã và đang tiến xa hơn nhiều so với nguồn gốc của nó là công nghiệp bán dẫn. MEMS bao gồm những cấu trúc vi cơ, vi sensor, vi chấp hành và vi điện tử cùng được tích hợp trên cùng một chip (on chip). Các linh kiện MEMS thường được cấu tạo từ silic. Một thiết bị MEMS thông thường là một hệ thống vi cơ tích hợp trên một chip mà có thể kết hợp những phần cơ chuyển động với những yếu tố sinh học, hoá học, quang hoặc điện. Kết quả là các linh kiện MEMS có thể đáp ứng với nhiều loại lối vào: hoá, ánh sáng, áp suất, rung động vận tốc và gia tốc...Với ưu thế có thể tạo ra những cấu trúc cơ học nhỏ bé tinh tế 64 và nhạy cảm đặc thù, công nghệ vi cơ hiện nay đã cho phép tạo ra những bộ cảm biến (sensor), những bộ chấp hành (actuator) được ứng dụng rộng rãi trong cuộc sống. Các bộ cảm biến siêu nhỏ và rất tiện ích này đã thay thế cho các thiết bị đo cũ kỹ, cồng kềnh trước đây. Song công nghệ MEMS mới đang ở giai đoạn đầu của nó và cần rất nhiều những nghiên cứu cơ bản hơn, sâu hơn. 2. Công nghệ chế tạo các sản phẩm MEMS Các sản phẩm MEMS là sự tích hợp vi mạch điện tử với các linh kiện, các chi tiết vi cơ. Mạch vi điện tử được chế tạo trên phiến silic do đó xu hướng chung là lợi dụng tối đa vật liệu silic để chế tạo các linh kiện vi cơ theo những kĩ thuật tương tự với kĩ thuật làm mạch vi điện tử, điển hình là kỹ thuật khắc hình. Tuy nhiên các linh kiện của mạch vi điện tử đều nằm trên mặt phẳng (công nghệ planar nghĩa là phẳng) còn nhiều linh kiện vi cơ phải thực hiện những thao tác như dịch chuyển, rung, quay, đẩy kéo, bơm v.v… Do đó chúng không chỉ nằm trên một mặt phẳng mà có một phần, có khi hoàn toàn tách ra khỏi mặt phẳng. Mặt khác các chi tiết vi cơ phải làm bằng vật liệu có tính chất thích hợp thí dụ có chi tiết cần đàn hồi như lò xo, có chi tiết cần rất cứng, có chi tiết cần mềm dẻo, có chỗ cần phản xạ tốt ánh sáng, có chỗ cần dẫn điện. May mắn là trên cơ sở silic có thể làm ra một số vật liệu đáp ứng được nhu cầu nói trên, thí dụ oxyt silic (SiO2) cách điện, silic đa tinh thể (poly - Si) dẫn điện được, nitrit silic (Si3N4) vừa cứng vừa đàn hồi. Cũng có thể dùng các phương pháp bốc bay, phún xạ để tạo những lớp chất đặc biệt như lớp kim loại phản xạ, lớp áp điện, lớp hợp kim đàn hồi v.v…lên bề mặt silic rồi khắc hình để chỗ này có mặt phản xạ tốt dùng làm gương, chỗ kia có lá kim loại đàn hồi dùng làm lò so v.v… Có thể kể đến một số phương pháp về gia công các chi tiết cơ tiêu biểu ở công nghệ MEMS như sau: ¾ Gia công vi cơ khối Gia công vi cơ khối là lấy đi một phần thể tích trong phiến vật liệu để hình thành chi tiết vi cơ. Gọi là gia công nhưng thực ra là dùng các phương pháp hoá, lý để ăn mòn (tẩm thực) tạo ra trên phiến các lỗ sâu, các rãnh, các chỗ lõm v.v...như được minh hoạ trên hình 1.2. 65 Hình 1.2. Minh hoạ cảm biến áp suất vi cơ khối Để hình thành các chi tiết cơ ở phần còn lại có hai cách phổ biến: Ăn mòn ướt: thường dùng đối với các phiếnvật liệu là silic, thạch anh. Đây là quá trình dùng dung dịch hoá chất để ăn mòn theo những diện tích định sẵn nhờ các mặt nạ (mask). Các dung dịch hoá chất thường dùng đối với silic là các dung dịch axit hoặc hỗn hợp các axit như HF, HNO3, CH3COOH, hoặc KOH. Việc ăn mòn có thể là đẳng hướng (ăn mòn đều nhau theo mọi hướng) hoặc dị hướng (có hướng tinh thể ăn mòn nhanh, có hướng chậm). Ăn mòn khô: ăn mòn khô bằng cách cho khí hoặc hơi hoá chất tác dụng thường là ở nhiệt độ cao. Hình dạng, diện tích hố ăn mòn được xác định theo mặt nạ (mask) đặt lên bề mặt phiến vật liệu. Để tăng cường tốc độ ăn mòn có thể dùng sóng điện từ (RF) kích thích phản ứng hoặc dùng điện thế để tăng tốc độ ion tức là tăng tốc độ các viên đạn bắn phá. ¾ Gia công vi cơ bề mặt Thí dụ để trên phiến silic cần tạo ra một dầm đa tinh thể silic một đầu cố định, một đầu tự do có thể làm theo các giai đoạn sau: - Tạo ra lớp oxyt silic trên phiến silic. - Dùng mặt nạ 1 khoét (theo cách khắc hình) diện tích để sau này gắn vào đấy đầu cố định của dầm. 66 - Phủ lên toàn bộ một lớp đa tinh thể silic rồi dùng mặt nạ 2 để khắc hình khoét đi lớp silic đa tinh thể, chỉ chừa lại một dầm. - Nhúng toàn bộ vào một loại axit để hoà tan hết SiO2 (nhưng không hoà tan silic) ta có được dầm đa tinh thể một đầu bám vào phiến silic, một đầu tự do. Hình 1.3. Mô tả dầm cộng hưởng gia công vi cơ bề mặt Trong thí dụ trên có những lớp chế tạo ra như lớp SiO2 chỉ có vai trò trong một giai đoạn gia công, sau đó lại hoà tan để loại bỏ. Người ta gọi đó là lớp hi sinh. ¾ Hàn Để tạo ra các chi tiết vi cơ phức tạp, sâu, kín như ống dẫn, bể ngầm... có thể thực hiện việc gia công ở hai phiến rồi hàn úp hai mặt gia công lại với nhau. Tạo một cái hố trên bề mặt một phiến bằng cách ăn mòn thông thường rồi hàn lên trên phiến đó một phiến khác để đậy hố lại. Gọi là hàn nhưng thực ra là ép nhiệt trực tiếp hai phiến lại hoặc dùng thêm một lớp lót để tăng cường sự kết dính. ¾ Gia công bằng tia laze Có thể dùng tia laze để tạo ra những chi tiết vi cơ theo kiểu khoét lần lượt, điều khiển trực tiếp. Tuy nhiên cách gia công này rất chậm, không gia công đồng loạt được. Vì vậy ở công nghệ MEMS cách gia công bằng laze thường chỉ dùng để 67 làm khuôn. Laze dùng là laze eximơ mới đủ mạnh và vật liệu để gia công thường là chất dẻo, polymer. ¾ Liga LIGA là từ ghép các chữ đầu của Lithgraphie Galvanofruning und Abformung, tiếng Đức nghĩa là khắc hình, mạ điện và làm khuôn. Đây là kỹ thuật tạo ra các hệ vi cơ ba chiều chứ không phải là hai chiều như ở các cách khắc hình bình thường. Ở LIGA người ta dùng chùm tia X cực mạnh nên có thể đi sâu vào chất cảm đến hàng milimet. Chất cảm thường dùng thuộc loại acrylic viết tắt là PMMA. Thông qua những chỗ bị khoét thủng trên khuôn, tia X chiếu vào lớp cảm theo những diện tích nhất định, làm biến chất chất cảm có tia X chiếu đến sẽ bị hoà tan. Vì trong kỹ thuật LIGA người ta thường dùng lớp chất cảm dày, và tia X mạnh nên tia X có thể đi sâu vào lớp chất cảm đến hàng trăm, thậm chí hàng nghìn micromet nhờ đó sau khi nhúng vào dung dịch, những chỗ chất cảm bị hoà tan đi có thể rất sâu, hình khắc thực sự là ba chiều chứ không phải là hai chiều như ở quang khắc thông thường. 3. Ứng dụng của các cảm biến MEMS Tuy rằng MEMS mới ra đời chưa lâu nhưng đã có rất nhiều ứng dụng góp phần không nhỏ vào sự phát triển đời sống xã hội. ™ Các ứng dụng phổ cập: Các ứng dụng phổ cập nhất hiện nay của công nghệ MEMS trong các ngành công nghiệp có thể tóm tắt như sau: Sensor áp suất: Kiểm tra tỷ lệ nhiên liệu và các chức năng đo đạc khác khác trong ôtô, thiết bị đo huyết áp và các ứng dụng dân dụng khác. Sensor gia tốc và gyroscope: Túi khí trong ôtô, thiết bị định hướng cho tên lửa và các phương tiện vận tải. Hiển thị: Các màn hình độ phân giải cao dùng các vi gương cho các thiết bị điện tử . 68 Đầu phun mực: Hàng trăm triệu chip phun mực một năm cho các máy in laser đen trắng và mầu. Các sensor hoá học: Cho các mục đích y tế và y sinh học. Chuyển mạch cho thông tin quang sợi: Internet, truyền hình và thông tin giải rộng dùng cáp quang. Vi van: Các hệ sắc kế khí cực nhỏ sử dụng các dãy vi van. Chuyển mạch điện cơ: Các vi rơle trong các ứng dụng một chiều, xoay chiều và vô tuyến. 4. Vi cảm biến áp suất Trong số các ngành công nghiệp khác nhau các cảm biến áp suất được ứng dụng nhiều nhất trong nhiều lĩnh vực. Đó là vì trong các thiết bị cung cấp năng lượng thuỷ lực, nhiệt, hạt nhân, cần phải đo và theo dõi áp suất một cách liên tục nếu áp suất vượt ngưỡng sẽ gây nhiều hậu quả nghiêm trọng đến cơ sở vật chất và tính mạng con người chính vì vậy cảm biến áp suất là rất quan trọng trong đời sống. Trong y tế cũng có nhiều ứng dụng của cảm biến MEMS như dùng đo huyết áp, nhịp tim và đo nồng độ máu từ xa ... 1.1.1 Khái niệm về áp suất Khi một chất lỏng hay khí được chứa trong bình chứa, do chuyển động nhiệt hỗn loạn, các phân tử vật chất sẽ tác dụng lên thành bình một lực. Nếu ta xét lực này trên một đơn vị diện tích ta có khái niệm áp suất. Như vậy áp suất được định nghĩa là lực tác dụng vuông góc lên một đơn vị diện tích và được xác định theo công thức sau: P = S F Trong đó F là lực tác dụng, có đơn vị là Newton (N); S là diện tích bề mặt bị lực tác dụng, có đơn vị là m2. Trong hệ SI áp suất có đơn vị là N/m2 Đơn vị dẫn xuất của áp suất là pascal (Pa), 1pascal tương đương với áp suất đồng dạng do lực 1 Newton tác dụng lên bề mặt phẳng có diện tích bằng 1mPP2PP 69 (1Pa=1N/1mPP2 PP). Áp suất 1Pa tương đối nhỏ, trong công nghiệp người ta thường dùng đơn vị áp suất là bar (1 bar = 10 PP5 PPPa). Một đơn vị cũng hay được dùng nhất là trong y tế đó là mmHg hay torr. Bảng 1 đưa ra mối quan hệ tương đối giữa các đơn vị đo áp suất hay được sử dụng. Bảng 1. Quan hệ giữa các đơn vị đo áp suất Đơn vị đo áp suất pascal(Pa) bar(b) g/cmPP2PP Atmosphe mmHg mbar 1 pascal 1 10PP-5 PP 1,02.10PP-5 PP 0,9869.10PP-5 PP 0,75.10PP-2 PP 10PP-2 PP 1 bar 10PP5PP 1 1,02 0,9869 750 1000 1kg/cmPP2PP 98.10PP3PP 0,980 1 0,986 735 980 1 atmosphe 101325 1,013 1,033 1 760 1013 1g/cmPP2PP 98 98.10PP-5 PP 10PP-3 PP 0,968.10PP-3 PP 0,735 0,98 1mmHg 133,3 13,33.10PP-4 PP 1,36.10PP-3 PP 1,315.10PP-3 PP 1 1,333 1mbar 100 1.10PP-3 PP 1,02.10PP-3 PP 0,9869.10PP-3 PP 0,750 1 1.1.2 Nguyên tắc và các phương pháp đo áp suất Để đo áp suất, trước đây người ta sử dụng áp suất kế Torricelli. Hình 1 mô tả một áp suất kế Torricelli. Áp suất kế Torricelli là một ống thuỷ tinh bịt kín, đầu phía trên được úp xuống một bể đựng thuỷ ngân (Hg). Lúc đó áp suất tác dụng lên bề mặt thuỷ ngân trong bể bằng độ lớn cột thuỷ ngân trong ống. Đơn vị đo áp suất sử dụng áp suất kế là mmHg (1atm = 760mmHg ). Ngày nay, với nhiều công nghệ khác nhau, nhiều loại cảm biến áp suất đã ra đời. Để đo áp suất người ta đo lực F tác dụng lên diện tích S của thành bình phân chia hai môi trường, trong đó một môi trường chứa chất lưu là đối tượng cần đo áp suất. Có thể chia làm 3 trường hợp chính: ¾ Đo áp suất lấy qua một lỗ có diện tích hình tròn được khoan trên thành bình. ¾ Đo trực tiếp sự biến dạng của thành bình do áp suất gây nên. Hình 1. Áp suất kế torricelli 670mmHg H ight èng thuû tinh §Çu bÞt kÝn 1 atm1 atm §Çu hë Thñy ng©n 70 ¾ Đo bằng một cảm biến áp suất để chuyển tín hiệu đầu vào là áp suất thành tín hiệu điện đầu ra chứa thông tin liên quan đến giá trị của áp suất cần đo và sự thay đổi của nó theo thời gian. Trong cách đo trích lấy áp suất qua một lỗ nhỏ, phải sử dụng một cảm biến đặt gần sát thành bình. Sai số của phép đo sẽ nhỏ với điều kiện là thể tích chết của kênh dẫn và của cảm biến phải không đáng kể so với thể tích tổng cộng của chất lưu cần đo áp suất. Trong trường hợp đo trực tiếp, người ta gắn lên thành bình các cảm biến đo ứng suất để đo biến dạng của thành bình. Biến dạng này là một hàm của áp suất. Trong trường hợp đo bằng cảm biến áp suất, vật trung gian thường là các phần tử đo lực có một thông số, thí dụ thông số hình học, thông số này có khả năng thay đổi dưới tác dụng của lực F = P.S. Phổ biến nhất là sử dụng màng. Màng (diaphragm) là một tấm mỏng (thường bằng chất bán dẫn) có khả năng bị biến dạng khi có áp suất đặt lên. Khi áp suất bên ngoài tác dụng lên màng, tuỳ thuộc vào sự chênh lệch áp suất cần đo và áp suất chuẩn so sánh mà màng bị biến dạng, độ biến dạng của màng phụ thuộc vào độ lớn của áp suất tác dụng vào. Cảm biến áp suất kiểu màng có một số cấu trúc sau: Cảm biến áp suất tuyệt đối (hình 2.a) Cảm biến áp suất tương đối (hình 2.b) Cảm biến áp suất vi sai (hình 2.c) Hình 2. Các loại cảm biến áp suất kiểu màng a) Cảm biến áp suất tuyệt đối b) Cảm biến áp suất tương đối c) Cảm biến áp suất vi sai 71 Nói chung, cả ba loại cảm biến này đều hoạt động theo nguyên lý so sánh áp suất cần đo với một áp suất khác, thường đã biết trước, là áp suất chuẩn. Với cảm biến áp suất tuyệt đối, áp suất cần đo được so sánh với áp suất của chân không, còn cảm biến áp suất tương đối thì áp suất cần đo được so sánh với áp suất khí quyển. Bằng nhiều cách khác nhau người ta có thể biến đổi độ biến dạng của màng thành tín hiệu điện thông qua sự biến thiên độ tự cảm, biến thiên điện dung sử dụng hiệu ứng áp điện, dao động cơ điện, dùng phương pháp quang điện, dùng phương pháp transistor áp điện… Trong công nghệ MEMS có 2 phương pháp đang được sử dụng rộng rãi đó là cảm biến kiểu tụ điện (capacitive) và cảm biến kiểu áp trở (piezoresistive) được trình bày dưới đây. 1.1.3 Vi cảm biến áp suất kiểu tụ Các cảm biến kiểu tụ có nguyên lý hoạt động rất đơn giản. Điện dung của tụ được thay đổi bằng cách tác động lên một trong các thông số làm thay đổi điện trường giữa hai vật dẫn tạo thành hai bản cực của tụ. Một trong hai bản tụ được nối cơ học với vật trung gian chịu tác động của áp suất cần đo. Nếu vật trung gian là màng mỏng thì điện dung của tụ sẽ thay đổi theo sự dịch chuyển của tâm màng khi nó bị áp suất tác dụng. Hình 3 mô tả một cảm biến áp suất dùng chuyển đổi điện dung. Trong chế tạo cảm biến áp suất thì hiệu ứng áp trở được sử dụng phổ biến hơn. Nguyên lý hoạt động cũng như phương pháp chế tạo vi cảm biến áp suất kiểu màng hiệu ứng áp điện trở được trình bày tiếp sau đây. 1.1.4 Vi cảm biến áp suất kiểu áp trở Trên cơ sở hiệu ứng áp trở trong vật liệu silicon, nhiều loại vi cảm biến và các bộ chấp hành Hình 4. Cấu trúc cảm biến áp điện trở 72 đã được phát triển với các tính năng và ứng dụng khác nhau. Nguyên lý làm việc chung của các vi cảm biến loại này dựa trên sự thay đổi độ biến dạng của cấu trúc màng hay cấu trúc dầm (gọi chung là các phần tử nhạy cơ) được chuyển thành tín hiệu điện tương ứng nhờ các áp điện trở được cấy trên phần tử nhạy cơ. Khi phần tử nhạy cơ của vi cảm biến bị uốn cong, các áp điện trở sẽ thay đổi giá trị. Độ nhạy cũng như vùng làm việc tuyến tính của vi cảm biến phụ thuộc rất nhiều vào kích thước cấu trúc cơ, dạng và kích thước các áp điện trở, vị trí các áp điện trở trên phần tử nhạy cơ. Cấu trúc của cảm biến áp suất được chỉ ra trong hình 4. Cảm biến được chế tạo trên một đế Silic loại n có định hướng bề mặt là {100}, bằng phương pháp ăn mòn điện hoá, một màng silicon với kích thước và bề dày thay đổi được tạo ra, màng này rất nhạy với các tín hiệu áp suất. Sau đó, bốn điện trở được đặt lên màng silicon tại trung điểm của các cạnh của hình vuông bằng phương pháp khuếch tán Boron từ nguồn tạp hoặc bằng phương pháp cấy ion tạo thành cầu Wheatstone. Các điện trở được đặt một cách chính xác cụ thể là hai điện trở được đặt song song với cạnh màng, hai điện trở còn lại được đặt vuông góc với cạnh màng. Các cạnh của màng có định hướng là {110}. Khi không có áp suất đặt lên màng, cầu điện trở ở trạng thái cân bằng, điện thế lối ra lúc này là bằng 0. Khi có áp suất đặt lên, màng mỏng sẽ bị biến dạng, áp lực phân bố trên màng sẽ bị thay đổi. Do hiệu ứng áp điện trở, các giá trị của các điện trở trong mạch cầu bị thay đổi, cụ thể nếu các điện trở song song với cạnh màng có giá trị giảm đi thì các điện trở vuông góc với cạnh màng sẽ tăng giá trị và ngược lại. Kết quả là cầu sẽ bị mất cân bằng và điện áp lối ra là khác 0. Sự thay đổi giá trị điện trở phụ thuộc vào độ biến dạng của màng tức phụ thuộc vào áp suất, nên độ lớn của tín hiệu lối ra cũng phụ thuộc vào áp suất. Bằng cách đo điện thế lối ra ta có thể đo được độ lớn tương ứng của áp suất tác dụng lên màng. Cảm biến áp suất là một trong những loại cảm biến thường dùng nhất trong công nghiệp. Trong y tế thì cảm biến áp suất thường được sử dụng để đo áp suất máu trong động mạch và trong tĩnh mạch. Ưu điểm lớn nhất của cảm biến áp suất vi cơ điện tử là độ nhạy. Cụ thể đối với dải điện áp thấp, độ nhạy của cảm biến thay đổi trong khoảng từ 0,1 đến 3mV/mbar phụ thuộc dạng hình học của màng và cường độ dòng điện, trong dải áp suất từ khoảng vài trăm mbar đến hàng trăm bar, độ 73 nhạy thay đổi từ 0,2 đến 12,5mV/bar. Một ưu điểm nữa đó là kích thước của các cảm biến này do chế tạo theo công nghệ MEMS nên kích thước rất nhỏ, thuận tiện sử dụng trong mọi thiết bị. B. PHẦN THỰC NGHIỆM 1. Dụng cụ và thiết bị thực nghiệm Hình 8 Thành phần chính của bài thí nghiệm gồm • Buồng tạo áp suất • Bơm khí • Van xả • Áp kế thuỷ ngân • Các cảm biến • Mạch điều khiển Áp suất trong buồng được chia tới các cảm biến, van khí, áp kế thuỷ ngân thông qua hệ thống dẫn khí. Áp suất trong buồng được tạo nên nhờ hệ thống mô tơ 74 bơm và van xả. Mô tơ bơm và van xả điều khiển bởi các công tắc. Van xả có thể xả từ từ hoặc xả hết cỡ. 75 2. Vi cảm biến áp suất MPX10 Trong bài thực tập này, cảm biến áp suất được sử dụng là cảm biến MPX10. Đây là sản phẩm của hãng Motorola, được chế tạo dựa trên nguyên lý áp trở theo công nghệ MEMS. Cảm biến có điện áp lối ra tỉ lệ tuyến tính với áp suất lối vào và độ chính xác cao. Một số thông số của MPX10 được đưa ra ở bảng 1. Bảng 1. Một số đặc tính của MPX10 Đặc tính Ký hiệu Min Typ Max Đơn vị Dải áp suất cho phép lối vào P BBOPBB 0 - 10 Kpa Điện áp nguồn nuôi Vs - 3.0 6.0 Vdc Dòng điện cung cấp iBB0BB - 6.0 - mAdc Dải điện áp lối ra VBBFSSBB 20 35 50 mV Độ lệch(offset) điện áp lối ra VBBOff BB 0 20 35 mV Độ nhạy ∆V/∆P - 3.5 - mV/kPa Độ tuyến tính - -1.0 - 1.0 %VBBFSSBB Hệ số nhiệt của điện áp lối ra TCVBBFSSBB -0,22 - -0.16 %VBBFSSBB/°C Hệ số nhiệt của điện áp lệch TCVBBoff BB - ±15 - µV/°C Hệ số nhiệt của trở kháng lối vào TCR 0.28 - 0.34 %ZBBinBB/°C Trở kháng lối vào ZBBinBB 400 - 550 Ω Trở kháng lối ra ZBBoutBB 750 - 1250 Ω Thời gian đáp ứng (10%-90%) T BBRBB - 1.0 - ms Hình 6 biểu diễn đặc tính tuyến tính của điện áp lối ra theo áp suất đặt vào. Việc sử dụng cảm biến, cũng như vị trí, vai trò của cảm biến sẽ được khảo sát kỹ hơn trong bài. Hình 6. Đáp ứng Điện áp – áp suất của cảm biến MPX10 76 3. Vi cảm biến áp suất MPX50 Cảm biến MPX50 là một ví dụ khá điển hình của linh kiện MEMS. MPX50 có cả phần cảm biến và phần mạch điện tích hợp trên cùng một vỏ. Phần cảm biến của MPX10 vẫn có cấu trúc cầu trở tương tự như của MPX10. Điểm khác biệt là lối ra của MPX50 đã là mức điện áp 0-5v do bản thân bên trong cảm biến đã có mạch điện khuyếch đại và dịch mức. Sơ đồ khối cấu trúc của MPX50 được trình bày ở hình7. Hình 7 Cấu trúc bên trong của MPX50 Một số thông số của MPX50 cho ở bảng sau Đặc tính Ký hiệu Min Typ Max Đơn vị Dải áp suất cho phép lối vào P BBOPBB 0 - 100 Kpa Điện áp nguồn nuôi Vs 4.75 5.0 5.25 Vdc Dòng điện cung cấp iBB0BB - 7.0 10 mAdc Dải điện áp lối ra VBBFSSBB 0 - 4.7 Vdc Độ lệch(offset) điện áp lối ra VBBOff BB 0.088 0.20 0.313 Vdc Độ nhạy ∆V/∆P - 45 - mV/kPa Độ tuyến tính - - ±2.5 %VBBFSSBB Thời gian đáp ứng (10%-90%) T BBRBB - 1.0 - ms Đường đặc trưng của MPX50 đựợc chỉ ra ở hình 8 Hình 8Đường đặc trưng điện áp lối ra theo áp suất đặt vào của MPX50 77 4. Khảo sát cảm biến áp suất vi cơ địên tử 4.1 Khảo sát cấu trúc cầu trở của cảm biến (Khảo sát sự mất cân bằng của cầu khi có áp suất tác dụng) − Cấp nguồn nuôi cho cảm biến (nguồn, đất) − Không cho áp suất tác dụng vào cảm biến − Đo thế lối ra Ura = +Vout - -Vout Cho áp suất tác dụng − Nhận xét về loại cảm biến áp suất (cảm biến loại nao, tuyệt đối, tương đối hay vi sai?) 4.2. Xây dựng đường đặc trưng của cảm biến: Đặt một áp suất lên cầu (bằng cách sử dụng bơm áp suất và van xả), đo điện áp sự phụ thuộc điện áp lối ra của cầu theo áp suất đặt vào theo bảng sau: Áp suất (mmHg) 10 20 30 40 50 60 70 80 Điện áp (mV) Áp suất (mmHg) 90 100 110 120 130 140 150 160 Điện áp (mV) Vẽ đường đặc trưngđiện áp lối ra theo áp suất đặt vào. Nhận xét kết quả. 4.3 Khảo sát đường đặc trưng: -Khảo sát dải đo của cảm biến, độ nhạy Tăng (giảm) áp suất lên từ từ. Quan sát điện áp trên đồng hồ rút ra kết luận về độ nhạy của cảm biến. Độ nhạy của cảm biến trong các trường hợp tăng/giảm áp suất có gì khác biệt? -Khảo sát tính ổn định của cảm biến Lặp lại các thí nghiệm trên để khẳng định độ ổn định của cảm biến. 78 Hình 10. Bài toán thử sức bền vật liệu -Khảo sát sự phụ thuộc vào nhiệt độ của cảm biến: Thay đổi nhiệt độ môi trường bằng cách dùng một đèn chiếu vào cảm biến một thời gian rồi khảo sát lại đường đặc trưng của cảm biến. Rút ra nhận xét về sự ảnh hưởng vào nhiệt độ của cảm biến. Xây dựng một ứng dụng cụ thể sử dụng cảm biến áp suất MPX50 Cảm biến áp suất được sử dụng trong rất nhiều ứng dụng trong: trong công nghiệp, trong y tế… Hình 10 là mô hình một bài toán đo sức bền vật liệu. Hệ gồm có cơ cấu thủy lực để tác dụng lực cố ý lên vật mẫu để đo khả năng chịu lực của vật liệu. Lực tác dụng được đo nhờ một ảm biến áp suất đo áp suất nén của hệ thống thủy lực. Cảm biến áp suất phải xác định được chính xác lực tác dụng lên vật liệu và thời điểm vật liệu bị phá hủy (vượt ngưỡng chịu đựng của vật mẫu). Một ứng dụng phổ biến của cảm biến áp suất là sử dụng trong y tế để đo huyết áp của bệnh nhân. Trong máy đo huyết áp phần tử cảm biến chính là cảm biến áp suất. Cảm biến áp suất sẽ thu thập dữ liệu về áp suất thu được qua bao khí quấn quanh bắp tay bệnh nhân để từ đó qua quá trình xử lý rút ra được các thông số huyết áp cao nhất, thấp nhất và nhịp tim. Một ứng dụng nữa của cảm biến áp suất hay gặp trong công nghiệp đó là bài toán cảnh báo áp suất (chẳng hạn như áp suất nồi hơi). Trong bài thực tập này sinh viên sẽ thực hiện bài toán cảnh báo áp suất dựa trên cảm biến áp suất MPX50. Hình 8 là sơ đồ tổng quan hệ thống. Hình 11 là mạch điện điều khiển ghép nối. 79 Hình 11 Mạch ghép nối Áp suất trong buồng áp suất được đưa tới cảm biến MPX50. Lối ra của cảm biến được đưa tới ADC 0804. Số liệu từ lối ra của 0804 đựơc thu thập bởi vi điều khiển. Vi điều khiển được kết nối với máy tính thông qua giao diện nối tiếp theo chuẩn RS232. Sinh viên có thể lấy đựợc giá trị này bằng cách gửi ra cổng nối tiếp một byte có giá trị = 0x01. Vi điều khiển ngay sau khi nhận được byte này sẽ gửi trả giá trị thu được từ ADC. Van an toàn có thể được mở bằng cách gửi qua cổng nối tiếp byte có giá trị = 0x02. Áp suất trong buồng được tăng lên hay giảm đi nhờ hệ thống bơm áp suất và van xả. Sinh viên phải thực hiện giám sát áp suất trong buồng và cảnh báo áp suất khi áp suất vượt quá ngưỡng đặt trước và van an toàn sẽ được mở khi áp suất trong buồng vượt quá ngưỡng cho phép. Byte Hướng Ý nghĩa 0x01 PC-> MP Yêu cầu gửi giá trị thu được từ ADC về 0x02 PC->MP Yêu cầu xả van khí 0x03 PC->MP Yêu cầu khởi phát ADC 0x03 MP->PC Báo ADC đã biến đổi xong Lưu đồ thực hiện đọc giá trị của bộ biến đổi ADC: 1.Khởi phát một quá trình biến đổi ADC. 2.Đợi ADC biến đổi xong. 3.Yêu cầu gửi dữ liệu về. Việc giao tiếp giữa máy tính và vi điều khiển được thực hiện bằng phương thức truyền thông nối tiếp theo chuẩn RS 232. Lý thuyết về truyền thông nối tiếp đã được trình bày rất kỹ trong các giáo trình về cấu trúc máy tính, sinh viên có thể tham khảo. Trong tài liệu này chỉ nhắc lại một số kiến thức để giúp sinh viên có thể thực hiện giao tiếp được với vi điều khiển qua cổng COM. Các chân của cổng nối tiếp: 80 DB25 Chân số DB9 Chân số Viết tắt Tên đầy đủ Pin 2 Pin 3 TD Transmit Data Pin 3 Pin 2 RD Receive Data Pin 4 Pin 7 RTS Request To Send Pin 5 Pin 8 CTS Clear To Send Pin 6 Pin 6 DSR Data Set Ready Pin 7 Pin 5 SG Signal Ground Pin 8 Pin 1 CD Carrier Detect Pin 20 Pin 4 DTR Data Terminal Ready Pin 22 Pin 9 RI Ring Indicator Table 1 : D Type 9 Pin and D Type 25 Pin Connectors Sơ đồ kết nối giữa hai thiết bị đầu cuối Địa chỉ cổng nối tiếp Trong máy tính có không phải chỉ một cổng nối tiếp. Tùy từng phần cứng của máy tính mà cổng COM có địa chỉ xác định. Thông thường ta sử dụng 2 cổng COM1 và COM2. Địa chỉ của một số COM khác cho dưới đây. Tên Địa chỉ cơ sở IRQ COM 1 3F8 4 COM 2 2F8 3 COM 3 3E8 4 COM 4 2E8 3 Table 3 : Standard Port Addresses Chương trình viết bằng ngôn ngữ C dưới đây cho ta địa chỉ cơ sở của các cổng com mong muốn. #include #include CONST Max = 10; void main(void) { 81 unsigned int far *ptraddr; /* Pointer to location of Port Addresses */ unsigned int address; /* Address of Port */ int a; ptraddr=(unsigned int far *)0x00000400; for (a = 0; a < Max; a++) { address = *ptraddr; if (address == 0) printf("No port found for COM%d \n",a+1); else printf("Address assigned to COM%d is %Xh\n",a+1,address); *ptraddr++; } } Các thanh ghi sử dụng và địa chỉ của chúng được đưa ra ở bảng sau Địa chỉ cơ sở DLAB Read/Write Viết tắt Tên gọi =0 Write - Transmitter Holding Buffer =0 Read - Receiver Buffer + 0 =1 Read/Write - Divisor Latch Low Byte =0 Read/Write IER Interrupt Enable Register + 1 =1 Read/Write - Divisor Latch High Byte - Read IIR Interrupt Identification Register + 2 - Write FCR FIFO Control Register + 3 - Read/Write LCR Line Control Register + 4 - Read/Write MCR Modem Control Register + 5 - Read LSR Line Status Register + 6 - Read MSR Modem Status Register + 7 - Read/Write - Scratch Register DLAB Bit DLAB là bít thứ 7 trong thanh ghi điều khiển đường truyền. Khi bít này được đặt bằng 1 thì 2 thanh ghi: thanh ghi có địa chỉ bằng địa chỉ cơ sở và thanh ghi có địa chỉ bằng địa chỉ cơ sở +1 sẽ lưu trữ giá trị số chia xác định tốc độ truyền thông (tốc độ baud) của cổng nối tiếp (thanh ghi có địa chỉ là địa chỉ cơ sở lưu byte thấp, thanh ghi có địa chỉ = địa chỉ cơ sở +1 lưu byte cao). Bằng cách thiết lập giá trị cho 2 thanh ghi này, ta có thể có tốc độ truyền mong muốn. Bảng dưới đây là một số giá trị thường dùng. 82 Tốc độ Baud (BPS) số chia (Dec) Byte cao số chia Byte thấp số chia 50 2304 09h 00h 300 384 01h 80h 600 192 00h C0h 2400 48 00h 30h 4800 24 00h 18h 9600 12 00h 0Ch 19200 6 00h 06h 38400 3 00h 03h 57600 2 00h 02h 115200 1 00h 01h Trong bài thực tập này, tốc độ truyền thông được sử dụng là 9600. Thanh ghi điều khiển đường truyền: Line Control Register (LCR) Ý nghĩa các bít trong thanh ghi được cho ở bảng dưới đây. 1 Divisor Latch Access Bit Bit 7 0 Cho phép các thanh ghi bộ đệm nhận, truyền và cho phép ngắt Bit 6 Set Break Enable Bit 5 Bit 4 Bit 3 Parity Select X X 0 No Parity 0 0 1 Odd Parity 0 1 1 Even Parity 1 0 1 High Parity (Sticky) Bits 3, 4 And 5 1 1 1 Low Parity (Sticky) Số bít STOP 0 1 bít Stop Bit 2 1 2 bít STOP khi độ dài dữ liệu là 6,7 or 8 bít hoặc 1.5 bít STOP khi chiều dài dữ liệu là 5 bit. Bit 1 Bit 0 Xác định chiều dài dữ liệu 0 0 5 Bít 0 1 6 Bít 1 0 7 Bít Bits 0 And 1 1 1 8 Bít 83 Trong bài thực tập này, khung truyền có dạng: 8 bít dữ liệu, bít Stop, không có bít chẵn lẻ. Thanh ghi trạng thái đường truyền: Line Status Register (LSR) Ý nghĩa các bít: Bit Notes Bit 7 Cố lỗi ở bộ đệm nhận Bit 6 Bộ đệm nhận rỗng Bit 5 Bộ đệm truyền rỗng Bit 4 Break Interrupt Bit 3 Lỗi khung truyền Bit 2 Lỗi chẵn lẻ Bit 1 Overrun Error Bit 0 Dữ liệu sẵn sàng trong bộ đệm nhận Thanh ghi trạng thái modem: Modem Status Register (MSR) Bit Notes Bit 7 Carrier Detect Bit 6 Ring Indicator Bit 5 Data Set Ready Bit 4 Clear To Send Bit 3 Delta Data Carrier Detect Bit 2 Trailing Edge Ring Indicator Bit 1 Delta Data Set Ready Bit 0 Delta Clear to Send Thủ tục khởi tạo cổng truyền thông nối tiếp trên máy tính: 1. Xác định tốc độ baud 2. Định dạng khung truyền outportb(PORT1 + 3 , 0x80);/* SET DLAB ON */ outportb(PORT1 + 0 , 0x03);/* Set Baud rate - Divisor Latch Low Byte */ /* Default 0x03 = 38,400 BPS */ /* 0x01 = 115,200 BPS */ /* 0x02 = 57,600 BPS */ /* 0x06 = 19,200 BPS */ /* 0x0C = 9,600 BPS */ /* 0x18 = 4,800 BPS */ 84 /* 0x30 = 2,400 BPS */ outportb(PORT1 + 1 , 0x00);/* Set Baud rate - Divisor Latch High Byte*/ outportb(PORT1 + 3 , 0x03); /* 8 Bits, No Parity, 1 Stop Bit */ Thủ tục xuất một byte ra cổng nối tiếp: 1. Kiểm tra bộ đệm truyền 2. Nếu bộ đềm truyền rỗng: viết byte cần xuất vào thanh ghi đệm truyền outportb(PORTAddr, ch);} /* Send Char to Serial Port */ Thủ tục đọc một byte từ cổng nối tiếp: 1. kiểm tra có dữ liệu sẵn sàng trong bộ đệm nhận không 2. Nếu sẵn sàng, đọc giá trị ở thanh ghi bộ đệm nhận. c = inportb(PORTAddr + 5); /* Check to see if char has been*/ /* received. */ if (c & 1) {ch = inportb(PORTAddr); /* If so, then get Char */ printf("%c",ch);} /* Print Char to Screen */ Nhiệm vụ của sinh viên: Viết chương trình thực hiện: 1. Hiển thị áp suất trong buồng áp suất tại thời điểm hiện tại 2. Cho ngưỡng cảnh báo là 400mmHg và ngưỡng nguy hiểm là 450 mmHg. Viết chương trình cảnh báo khi áp suất vượt quá ngưỡng cảnh báo và mở van an toàn khi áp suất vượt quá ngưỡng nguy hiểm. C. TÀI LIỆU THAM KHẢO 1. Ngô Diên Tập, “Vi điều khiển AVR”, NXB KHKT 2003 2. Mohamed Gad-el-Hak, “The MEMS handbook”, CPR Press, New York, 2002 3. digchip.com/datasheets/parts/datasheet/311/MPX50.php 85